[發(fā)明專利]半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710175402.9
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN107221525B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設計）人: N.井上;金洞院;曹永宇;姜智遠;S.Y.韓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種半導體器件，包括：

在襯底上的第一層間絕緣膜；

在所述第一層間絕緣膜中的第一下部線和第二下部線，所述第一下部線和所述第二下部線在第一方向上延伸、彼此相鄰、并沿著與所述第一方向正交的第二方向間隔開；

沿著所述第二方向在所述第一下部線與所述第二下部線之間的第一氣隙和第二氣隙，所述第一氣隙與所述第一下部線相鄰，所述第二氣隙與所述第二下部線相鄰；

第二層間絕緣膜，其覆蓋所述第一氣隙和所述第二氣隙；以及

襯墊膜，其在所述第一氣隙和所述第二氣隙的每個的底表面和側壁上；以及

通路，其至少部分地重疊所述第一下部線，

其中所述第一氣隙和所述第一下部線之間的所述襯墊膜、所述第一層間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜的第一厚度比所述第二氣隙和所述第二下部線之間的所述襯墊膜和所述第二層間絕緣膜的第二厚度厚。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一氣隙沿著所述第二方向與所述第一下部線間隔開的第一距離不同于所述第二氣隙沿著所述第二方向與所述第二下部線間隔開的第二距離。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一距離大于所述第二距離。

4.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：

在所述第一下部線上的上部線，所述上部線至少部分地重疊所述第一下部線，以及所述上部線通過所述通路連接到所述第一下部線。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一氣隙和所述第二氣隙的每個的頂部不高于所述第一下部線的頂表面。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第二氣隙具有與所述第二下部線相鄰的第一側壁以及與所述第一側壁相反的第二側壁，

所述第二氣隙的所述第一側壁和底表面成第一角度，以及

所述第二氣隙的所述第二側壁和所述底表面成第二角度，所述第一角度不同于所述第二角度。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一角度小于所述第二角度。

8.一種半導體器件，包括：

在襯底上且彼此相鄰的第一下部線和第二下部線；

間隔物，其覆蓋所述第一下部線和所述第二下部線的相對的側壁；

第一溝槽，其由所述間隔物限定在所述第一下部線和所述第二下部線的所述相對的側壁之間；

層間絕緣膜，其覆蓋所述第一下部線和所述第二下部線以及所述第一溝槽的底表面和側壁以部分地填充所述第一溝槽；

第一氣隙，其由所述第一溝槽和所述層間絕緣膜限定；

通路，其至少部分地重疊所述第一下部線并穿透所述層間絕緣膜；

第三下部線，其與所述第二下部線相鄰；

第二氣隙，其在所述第三下部線與所述第二下部線之間；

襯墊膜，其在所述第一氣隙和所述第二氣隙的每個的底表面和側壁上，

其中所述間隔物覆蓋所述第二下部線的兩個側壁，

其中所述第一氣隙和所述第一下部線之間的所述襯墊膜、所述間隔物和所述層間絕緣膜的第一厚度比所述第二氣隙和所述第三下部線之間的所述襯墊膜和所述層間絕緣膜的第二厚度厚。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其中：

所述第一下部線、所述第二下部線和所述第三下部線之間的間距相等；以及

所述第一氣隙的寬度不同于所述第二氣隙的寬度。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其中所述第一氣隙的所述寬度小于所述第二氣隙的所述寬度。

11.如權利要求8所述的半導體器件，其中：

所述第二氣隙具有與所述第二下部線相鄰的第一側壁以及與所述第三下部線相鄰的第二側壁，以及

由所述第二氣隙的所述第一側壁和底表面所成的第一角度不同于由所述第二氣隙的所述第二側壁和所述底表面所成的第二角度。