[發(fā)明專利]一種過孔倒角預(yù)測方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710175379.3
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN107068584A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李惠;王丹名;李揚(yáng);黃斗冬
• 申請（專利權(quán)）人: 成都京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種過孔倒角預(yù)測方法，其特征在于，所述方法包括：

分別測量M個(gè)鈍化子層在相同的刻蝕條件下的刻蝕速率；

根據(jù)所述M個(gè)鈍化子層的刻蝕速率的大小，預(yù)測在鈍化層上形成過孔時(shí)是否會(huì)產(chǎn)生倒角；所述鈍化層包括層疊設(shè)置的N個(gè)子層，所述N個(gè)子層中M個(gè)子層與所述M個(gè)鈍化子層一一對應(yīng)，對應(yīng)設(shè)置的所述子層與所述鈍化子層的生長條件相同，N≥M＞1，且M、N為正整數(shù)；所述M個(gè)子層中相鄰的兩個(gè)子層中位于下方的子層對應(yīng)的鈍化子層為第一鈍化子層，位于上方的子層對應(yīng)的鈍化子層為第二鈍化子層；

當(dāng)任一第一鈍化子層的刻蝕速率大于對應(yīng)的第二鈍化子層的刻蝕速率時(shí)，預(yù)測在鈍化層上形成過孔時(shí)會(huì)產(chǎn)生倒角；當(dāng)每個(gè)所述第一鈍化子層的刻蝕速率均不大于對應(yīng)的第二鈍化子層的刻蝕速率時(shí)，預(yù)測在所述鈍化層上形成過孔時(shí)不會(huì)產(chǎn)生倒角。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，測量每個(gè)所述鈍化子層的刻蝕速率，包括：

在基板上形成所述鈍化子層，并測量所述鈍化子層的初始膜厚；

對所述鈍化子層進(jìn)行刻蝕，并測量所述鈍化子層經(jīng)過刻蝕后的最終膜厚；

根據(jù)所述鈍化子層的初始膜厚和最終膜厚，計(jì)算所述鈍化子層的刻蝕速率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基板為襯底基板，或者所述基板為形成有薄膜晶體管陣列的基板，或者所述基板為已經(jīng)形成有鈍化子層且已形成的鈍化子層經(jīng)過刻蝕后的基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述對所述鈍化子層進(jìn)行刻蝕，包括：

對所述鈍化子層進(jìn)行局部刻蝕。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述對所述鈍化子層進(jìn)行局部刻蝕，包括：

刻蝕所述鈍化子層并形成凹槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述對所述鈍化子層進(jìn)行刻蝕，包括：

對所述鈍化子層進(jìn)行整層刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述鈍化子層的初始膜厚和最終膜厚，計(jì)算所述鈍化子層的刻蝕速率，包括：

采用所述鈍化子層的初始膜厚與所述鈍化子層的最終膜厚的差值除以所述鈍化子層的刻蝕時(shí)間，得到所述鈍化子層的刻蝕速率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述鈍化子層的厚度為3000至5000埃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述鈍化子層的刻蝕條件和在所述鈍化層上形成過孔時(shí)采用的刻蝕條件相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述鈍化層包括層疊設(shè)置的緩沖層、主體層和頂層，所述分別測量至少兩個(gè)鈍化子層在相同的刻蝕條件下的刻蝕速率，包括：分別測量兩個(gè)鈍化子層在相同的刻蝕條件下的刻蝕速率，所述兩個(gè)鈍化子層中的一個(gè)鈍化子層與所述緩沖層的生長條件相同，所述兩個(gè)鈍化子層中的另一個(gè)鈍化子層與所述主體層的生長條件相同。