[發明專利]一種過孔倒角預測方法

在審

• 申請號: 201710175379.3
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN107068584A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 李惠;王丹名;李揚;黃斗冬
• 申請（專利權）人: 成都京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 滕一斌

技術領域

本發明涉及顯示器領域，特別涉及一種過孔倒角預測方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display， TFT-LCD)是利用夾在上下兩個基板之間的液晶分子層上電場強度的變化，改變 液晶分子的取向，從而控制透光的強弱來顯示圖像的顯示器件。液晶顯示器的 結構一般包括背光模組、偏光片、陣列基板、彩膜(Color Filter，CF)基板以及填 充在這兩個基板組成的盒中的液晶分子層。

陣列基板包括襯底、依次層疊設置在所述襯底上的柵極、柵極絕緣層、有 源層、源漏極和鈍化層，鈍化層上設置有像素電極，鈍化層上開設有過孔，用 于連通源漏極和像素電極。鈍化層通常分為層疊設置在源漏極上的緩沖層、主 體層和頂層，在開設過孔時，過孔在緩沖層常會出現倒角，后續形成像素電極 時，像素電極在倒角處可能出現斷裂，從而影響信號傳輸。

為了避免上述情況，現有技術通常會在過孔制作完成后，采用掃描電子顯 微鏡觀察過孔是否存在倒角，一方面檢測耗時長，另一方面，掃描電子顯微鏡 價格昂貴，成本高。

發明內容

為了解決采用掃描電子顯微鏡檢測過孔時，耗時長、成本高的問題，本發 明實施例提供了一種過孔倒角預測方法。所述技術方案如下：

本發明實施例提供了一種過孔倒角預測方法，所述方法包括：分別測量M 個鈍化子層在相同的刻蝕條件下的刻蝕速率；根據所述M個鈍化子層的刻蝕速 率的大小，預測在鈍化層上形成過孔時是否會產生倒角；所述鈍化層包括層疊 設置的N個子層，所述N個子層中連續設置的M個子層與所述M個鈍化子層 一一對應，對應設置的所述子層與所述鈍化子層的生長條件相同，N≥M＞1， 且M、N為正整數；所述M個子層中相鄰的兩個子層中位于下方的子層對應的 鈍化子層為第一鈍化子層，位于上方的子層對應的鈍化子層為第二鈍化子層； 當任一第一鈍化子層的刻蝕速率大于對應的第二鈍化子層的刻蝕速率時，預測 在鈍化層上形成過孔時會產生倒角；當每個所述第一鈍化子層的刻蝕速率均不 大于對應的第二鈍化子層的刻蝕速率時，預測在所述鈍化層上形成過孔時不會 產生倒角。

在本發明實施例的一種實現方式中，測量每個所述鈍化子層的刻蝕速率， 包括：在基板上形成所述鈍化子層，并測量所述鈍化子層的初始膜厚；對所述 鈍化子層進行刻蝕，并測量所述鈍化子層經過刻蝕后的最終膜厚；根據所述鈍 化子層的初始膜厚和最終膜厚，計算所述鈍化子層的刻蝕速率。

在本發明實施例的另一種實現方式中，所述基板為襯底基板，或者所述基 板為形成有薄膜晶體管陣列的基板，或者所述基板為已經形成有鈍化子層且已 形成的鈍化子層經過刻蝕后的基板。

在本發明實施例的另一種實現方式中，所述對所述鈍化子層進行刻蝕，包 括：對所述鈍化子層進行局部刻蝕。

在本發明實施例的另一種實現方式中，所述對所述鈍化子層進行局部刻蝕， 包括：刻蝕所述鈍化子層并形成凹槽。

在本發明實施例的另一種實現方式中，所述對所述鈍化子層進行刻蝕，包 括：對所述鈍化子層進行整層刻蝕。

在本發明實施例的另一種實現方式中，所述根據所述鈍化子層的初始膜厚 和最終膜厚，計算所述鈍化子層的刻蝕速率，包括：

采用所述鈍化子層的初始膜厚與所述鈍化子層的最終膜厚的差值除以所述 鈍化子層的刻蝕時間，得到所述鈍化子層的刻蝕速率。

在本發明實施例的另一種實現方式中，所述鈍化子層的厚度為3000至5000 埃。

在本發明實施例的另一種實現方式中，所述鈍化子層的刻蝕條件和在所述 鈍化層上形成過孔時采用的刻蝕條件相同。

在本發明實施例的另一種實現方式中，所述鈍化層包括層疊設置的緩沖層、 主體層和頂層，所述分別測量至少兩個鈍化子層在相同的刻蝕條件下的刻蝕速 率，包括：分別測量兩個鈍化子層在相同的刻蝕條件下的刻蝕速率，所述兩個 鈍化子層中的一個鈍化子層與所述緩沖層的生長條件相同，所述兩個鈍化子層 中的另一個鈍化子層與所述主體層的生長條件相同。

本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：