[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710175245.1
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN106816410B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚志威
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法及陣列基板。本發(fā)明的陣列基板的制作方法，結(jié)合COA技術(shù)與BOA技術(shù)，先在襯底基板上制作黑色矩陣，再在黑色矩陣上方制作頂柵型的TFT器件，最后在TFT器件上方制作彩色濾光層，其中，像素電極直接設(shè)于漏極上與漏極相接觸，該制作方法可以提高TFT器件的電學(xué)性能及性能穩(wěn)定性，提升顯示面板的品質(zhì)，相對于現(xiàn)有陣列基板的制作方法，縮減了所使用的光罩和制程，制作方法簡單，節(jié)約生產(chǎn)成本。本發(fā)明的陣列基板，制作方法簡單，TFT器件電學(xué)性能好、性能穩(wěn)定，可提升顯示面板的品質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，有源式液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display，AMLCD)是目前最廣泛使用的平板顯示器之一，液晶面板是有源式液晶顯示器的核心組成部分。傳統(tǒng)的液晶面板通常是由一彩色濾光片(Color Filter，CF)基板、一薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，TFT)陣列基板以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid CrystalLayer)所構(gòu)成，其工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。其中薄膜晶體管陣列基板上制備TFT陣列，用于驅(qū)動液晶的旋轉(zhuǎn)，控制每個像素的顯示。

薄膜晶體管具有多種結(jié)構(gòu)，目前，主流的AMLCD多采用底柵型TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，如圖1所示，為現(xiàn)有一種底柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，所述底柵型TFT陣列基板包括玻璃基板100、設(shè)于玻璃基板100上的柵極200、設(shè)于柵極200與玻璃基板100上的柵極絕緣層(GI)300、設(shè)于柵極絕緣層300上的有源層(active layer)400、設(shè)于有源層400與柵極絕緣層300上的間隔的源極510和漏極520、設(shè)于源極510、漏極520、有源層400與柵極絕緣層300上的鈍化層(PV)600。該底柵型TFT陣列基板的制作方法包括：

步驟101、提供一玻璃基板100，在所述玻璃基板100上沉積第一金屬層(M1)，對第一金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到柵極200；在柵極200與玻璃基板100上沉積形成柵極絕緣層300；

步驟102、在所述柵極絕緣層300上依次沉積未摻雜非晶硅層(a-si)與硼離子摻雜非晶硅層，采用灰階光罩(gray tone Mask)或半色調(diào)光罩(half tone Mask)等高階光罩對未摻雜非晶硅層與硼離子摻雜非晶硅層進(jìn)行圖案化處理，得到有源層400，其中，硼離子摻雜非晶硅層經(jīng)圖案化后形成有源層400的N型歐姆接觸層410；

步驟103、在所述有源層400及柵極絕緣層300上沉積第二金屬層(M2)，對所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到源極510與漏極520；

步驟104、在所述源極510、漏極520、有源層400與柵極絕緣層300上沉積形成鈍化層600。

另外，底柵型TFT陣列基板制作過程中，在形成鈍化層600之后，為實現(xiàn)漏極520與像素電極的連接，還需要在所述鈍化層600上形成對應(yīng)于所述漏極520上方的過孔。

現(xiàn)在主流的AMLCD采用底柵型TFT陣列基板主要出于下面考量：一方面底柵型TFT的柵極200可以作為遮光層，屏蔽來自于背光(back light)模組的光線對于有源層400的照射，從而避免產(chǎn)生光電流影響器件穩(wěn)定性；另一方面柵極絕緣層300/非晶硅層/硼離子摻雜非晶硅層的薄膜沉積順序合理，界面影響小，蝕刻方便。

然而，在形成過孔的制程中，很容易發(fā)生因為雜質(zhì)(particle)等因素造成的過孔異常或與像素電極橋接不良，從而降低產(chǎn)品良率。另外主流AMLCD中黑色矩陣(BlackMatrix，BM)和彩色濾光層通常制作在CF基板側(cè)，這樣不僅會使CF基板制程復(fù)雜，更因為要考慮CF基板與TFT陣列基板對組時的偏移量而不得不加寬黑色矩陣，從而使產(chǎn)品的開口率下降。