[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710175245.1
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN106816410B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚志威
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供一襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上涂布一層黑色光阻材料，經(jīng)曝光顯影后，得到黑色矩陣(20)；然后在黑色矩陣(20)、及襯底基板(10)上沉積形成隔離層(30)；

步驟S2、在所述隔離層(30)上依次沉積第二金屬層(40’)、及離子摻雜非晶硅層(51’)，對所述第二金屬層(40’)、及離子摻雜非晶硅層(50’)進(jìn)行圖案化處理，由所述第二金屬層(40’)得到間隔的源極(41)和漏極(42)，由所述離子摻雜非晶硅層(51’)得到位于所述源極(41)和漏極(42)上的歐姆接觸層(51)，所述歐姆接觸層(51)的尺寸小于所述源極(41)和漏極(42)的尺寸而露出所述漏極(42)的部分上表面；

步驟S3、在經(jīng)過步驟S2的襯底基板(10)上沉積透明導(dǎo)電膜，對所述透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化處理，得到像素電極(60)，所述像素電極(60)位于所述漏極(42)、及隔離層(30)上，與所述歐姆接觸層(51)露出的漏極(42)相接觸；

步驟S4、在經(jīng)過步驟S3的襯底基板(10)上沉積非晶硅層(52’)，對所述非晶硅層(52’)進(jìn)行圖案化處理，得到半導(dǎo)體層(52)，所述半導(dǎo)體層(52)位于所述歐姆接觸層(51)、及隔離層(30)上，與所述歐姆接觸層(51)共同構(gòu)成有源層(50)；

步驟S5、在經(jīng)過步驟S4的襯底基板(10)上依次沉積柵極絕緣層(70)、第一金屬層(80’)，對所述第一金屬層(80’)進(jìn)行圖案化處理，得到對應(yīng)位于所述有源層(50)上方的柵極(80)；

步驟S6、在所述柵極絕緣層(70)、及柵極(80)上沉積鈍化層(90)；

步驟S7、在所述鈍化層(90)上形成彩色濾光膜層(95)。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中對所述第二金屬層(40’)、及離子摻雜非晶硅層(51’)采用一道光罩進(jìn)行圖案化處理，其具體過程為：在所述離子摻雜非晶硅層(51’)上涂布光阻材料，使用所述光罩對該光阻材料進(jìn)行曝光顯影后，得到光阻層，以該光阻層為遮蔽層，首先對所述離子摻雜非晶硅層(51’)進(jìn)行干法蝕刻，得到歐姆接觸層(51)，然后對所述第二金屬層(40’)進(jìn)行濕法蝕刻，得到源極(41)和漏極(42)。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述離子摻雜非晶硅層(51’)與所述非晶硅層(52’)均采用化學(xué)氣相沉積法制備；

所述離子摻雜非晶硅層(51’)與所述非晶硅層(52’)在制備方法上的區(qū)別為：沉積所述離子摻雜非晶硅層(51’)時在化學(xué)氣相沉積過程中通入硼烷氣體。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述隔離層(30)、柵極絕緣層(70)、及鈍化層(90)均采用化學(xué)氣相沉積法制備；

所述隔離層(30)、柵極絕緣層(70)、及鈍化層(90)均為氮化硅層、氧化硅層、或氮化硅層與氧化硅層的堆棧組合。

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金屬層(40’)與所述第一金屬層(80’)均采用物理氣相沉積法制備；

所述第二金屬層(40’)與所述第一金屬層(80’)的材料均為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種。