[發(fā)明專利]一種低功耗高精度非帶隙基準(zhǔn)電壓源

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710173120.5
• 申請(qǐng)日: 2017-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN107066024A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長沙景美集成電路設(shè)計(jì)有限公司
• 主分類號(hào): G05F3/26
• 分類號(hào): G05F3/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低功耗高精度非帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于：包括啟動(dòng)電路，偏置電流產(chǎn)生電路，基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路；啟動(dòng)電路，偏置電流產(chǎn)生電路，基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路分別接電源電壓VDD，啟動(dòng)電路用于電路在上電過程中可能出現(xiàn)的電路死鎖問題，其輸出端接偏置電流產(chǎn)生電路的輸入端，偏置電流產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生一個(gè)不隨電源電壓變化的基準(zhǔn)電流，偏置電流產(chǎn)生電路的輸出端成比例鏡像到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路的輸入端，基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路的輸出端接Vref，基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路還受到基準(zhǔn)電壓校正控制碼A₁、A₂……A_X，B₁、B₂……B_X的控制，用于校正基準(zhǔn)電壓Vref。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗高精度非帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于：所述的啟動(dòng)電路由PMOS管P1、PMOS管P2、第一電容C1組成，PMOS管P1的柵極接地，PMOS管P1的源極接電源VDD，PMOS管P1的漏極接PMOS管P2的柵極，同時(shí)接第一電容C1的正端，第一電容C1的負(fù)端接地，PMOS管P2的源極接電源VDD，PMOS管P2的漏極作為啟動(dòng)電路的輸出端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗高精度非帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于：所述的偏置電流產(chǎn)生電路由兩個(gè)PMOS管、兩個(gè)NMOS管和一個(gè)電阻組成，NMOS管N1的柵極與漏極相接，并與PMOS管P3的漏極相接，同時(shí)還接到PMOS管P2的漏極，NMOS管N1的源極接地，PMOS管P3的源極接電源VDD，PMOS管P3的柵極接PMOS管P4的柵極和漏極，并與NMOS管N2的漏極相接作為偏置電流產(chǎn)生電路的輸出端，PMOS管P4的源極接電源VDD，NMOS管N2的柵極接NMOS管N1的柵極，NMOS管N2的源極接第一電阻R1的正端，第一電阻R1的負(fù)端接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗高精度非帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于：所述的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路PMOS管P5的柵極接偏置電流產(chǎn)生電路的輸出端，PMOS管P5的源極接電源VDD，PMOS管P5的漏極接負(fù)閾值NMOS管LA0、LA1、LA2……LAX的柵極，同時(shí)還接到高閾值NMOS管H0的漏極和柵極以及高閾值NMOS管HB0、HB1、HB2……HBX的柵極，負(fù)閾值NMOS管LA0、LA1、LA2……LAX的源極相接并接到輸出端口Vref，高閾值NMOS管HB0、HB1、HB2……HBX的漏極相接并接到輸出端口Vref，負(fù)閾值NMOS管LA0的漏極接電源VDD，高閾值NMOS管HB0的源極接地，高閾值NMOS管LA1、LA2……LAX的漏極依次與PMOS管PA1、PA2……PAX的漏極相接，PMOS管PA1、PA2……PAX的柵極依次接輸入端口A₁、A₂……A_X，PMOS管PA1、PA2……PAX的源極接電源VDD，高閾值NMOS管HB1、HB2……HBX的源極依次與NMOS管NB1、NB2……NBX的漏極相接，NMOS管NB1、NB2……NBX的柵極依次接輸入端口B₁、B₂……B_X，NMOS管NB1、NB2……NBX的源極接地。