[發明專利]一種控制導向管縱向長度的真空蒸鍍設備及其控制方法

有效

• 申請號: 201710172346.3
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN106939406B
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 韓斌
• 申請（專利權）人: 深圳市提姆光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種控制導向管縱向長度的真空蒸鍍設備，包括第一蒸鍍腔、設置于所述第一蒸鍍腔內的第一蒸發源以及基板，還包括氣壓傳感器、單片機、驅動電機以及設置在所述基板下方且覆蓋所述基板的蒸鍍面的管陣，所述管陣由若干導向管組成，所述氣壓傳感器與所述導向管的數量相同，所述導向管包括固定管以及套設在所述固定管內部的活動管，所述固定管內設置有用于控制所述活動管沿著所述導向管的軸向水平移動的控制裝置，所述氣壓傳感器設置在所述固定管的開口處且與所述單片機連接，所述單片機與所述驅動電機連接，所述驅動電機與所述控制裝置連接；使原材料均勻在基板上鍍膜，并且避免原材料蒸鍍到蒸鍍腔壁，提高原材料利用率。

技術領域

本發明涉及真空蒸鍍領域，特別設計一種控制導向管縱向長度的真空蒸鍍設備及其控制方法。

背景技術

在真空環境中，將材料加熱并鍍到基片上稱為真空蒸鍍，真空蒸鍍是將待成膜的物質置于真空中進行蒸發或升華，使之在工件或基片表面析出的過程。

目前，蒸鍍工藝被廣泛地應用于電子器件的鍍膜生產過程中，其原理是將待成膜的原材料放置于真空環境中，通過電阻加熱或電子束加熱使原材料加熱到一定溫度發生蒸發或升華，氣態的原材料凝結沉積在待成膜的基板表面而完成鍍膜。

然，目前真空蒸鍍設備，在進行鍍膜時通常不能使氣態的原材料均勻的凝結沉積在待成膜的基板表面，而且，原材料被蒸鍍在基板的同時有大量的原材料被蒸鍍到了蒸鍍腔壁上，使得大量原材料被浪費，導致原材料的利用率很低。

因此，本發明人有鑒于真空蒸鍍設備實在有其改良的必要性，遂以其多年從事相關領域的創作設計及專業制造經驗，積極地針對一種控制導向管縱向長度的真空蒸鍍設備及其控制方法進行研究改良，在各方條件的審慎考慮下終于開發出本發明。

發明內容

發明目的：為解決背景技術中存在的問題，即為了能夠讓原材料均勻的凝結沉積在基板表面，并避免原材料蒸鍍到蒸鍍腔壁造成大量浪費，提高原材料利用率，本發明實施例提供了一種控制導向管縱向長度的真空蒸鍍設備，用于真空蒸鍍，使原材料均勻在基板上鍍膜，并且避免原材料蒸鍍到蒸鍍腔壁，提高原材料利用率。

技術方案：一種控制導向管縱向長度的真空蒸鍍設備，包括第一蒸鍍腔、設置于所述第一蒸鍍腔內的第一蒸發源以及基板，還包括氣壓傳感器、單片機、驅動電機以及設置在所述基板下方且覆蓋所述基板的蒸鍍面的管陣，所述管陣由若干導向管組成，所述氣壓傳感器與所述導向管的數量相同，所述導向管包括固定管以及套設在所述固定管內部的活動管，所述固定管內設置有用于控制所述活動管沿著所述導向管的軸向水平移動的控制裝置，所述氣壓傳感器設置在所述固定管的開口處且與所述單片機連接，所述單片機與所述驅動電機連接，所述驅動電機與所述控制裝置連接。

作為本發明的一種優選方式，還包括設置在所述第一蒸鍍腔上方的第二蒸鍍腔以及設置在所述第二蒸鍍腔內的第二蒸發源。

作為本發明的一種優選方式，所述第一蒸鍍腔內設置有兩端分別與所述第一蒸鍍腔的腔壁密封貼合的擋板，所述擋板將所述第一蒸鍍腔分隔成兩個子腔；所述擋板上開設有連通所述兩個子腔的第一蒸發孔，所述第二蒸鍍腔底部開設有與所述第一蒸發孔相互對立的第二蒸發孔。

作為本發明的一種優選方式，還包括第一通氣管、第二通氣管以及容氣盒，所述第一通氣管分別與所述第一蒸發孔以及第二蒸發孔連通，所述第二通氣管與所述第一通氣管垂直且連通，所述容氣盒與所述第二通氣管連通；所述管陣佇立在所述容氣盒的上方，且所述導向管與所述容氣盒的內腔連通。

作為本發明的一種優選方式，所述第一通氣管在靠近所述第一蒸發孔的一端設置有第一單向閥，在靠近所述第二蒸發孔的一端設置有第二單向閥，所述第一單向閥的氣體流動控制方向與所述第二單向閥的氣體流動控制方向為相反方向。

作為本發明的一種優選方式，所述第一蒸發源、第二蒸發源、第一蒸發孔、第二蒸發孔、第一通氣管以及第二通氣管的數量均為兩個。