[發(fā)明專利]晶片封裝體的形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710170781.2
• 申請(qǐng)日: 2017-03-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107342232A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳星兆;林志偉;陳孟澤;黃暉閔;鄭明達(dá);潘國(guó)龍;張緯森;郭庭豪;蔡豪益
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/50
• 分類號(hào): H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 張福根,馮志云

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露書系有關(guān)于半導(dǎo)體技術(shù)，且特別是有關(guān)于晶片封裝技術(shù)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體積體電路工業(yè)已經(jīng)歷快速成長(zhǎng)。半導(dǎo)體制備工藝的持續(xù)進(jìn)步以促使半導(dǎo)體元件具有更精細(xì)的結(jié)構(gòu)及/或更高程度的集成密度。隨著特征尺寸(feature size)(即，使用工藝所能制造的最小構(gòu)件)的縮減，使得功能性密度(即，單位晶片面積中彼此相連的元件的數(shù)量)已隨之增加。此尺寸縮小化的工藝借著增進(jìn)生產(chǎn)效率與降低相關(guān)成本而提供好處。

晶片封裝體除了保護(hù)半導(dǎo)體元件免受環(huán)境污染外，還對(duì)封裝其內(nèi)的半導(dǎo)體元件提供連接界面(connection interface)。一種用于封裝半導(dǎo)體元件的較小型式的封裝體為晶片尺度封裝體(chip-scale package，CSP)，其中于基底上設(shè)置有半導(dǎo)體晶片(或稱半導(dǎo)體晶粒，semiconductor die)。

已發(fā)展新的封裝技術(shù)來(lái)進(jìn)一步增進(jìn)半導(dǎo)體晶片的密度與功能。這些用于半導(dǎo)體晶片的相對(duì)新穎的封裝技術(shù)面臨著制作上的挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本揭露書的實(shí)施例提供一種形成晶片封裝體的方法，包括：于一承載基底之上形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；于該承載基底之上設(shè)置一半導(dǎo)體晶片；于該承載基底之上設(shè)置一模子；于該模子與該承載基底之間形成一保護(hù)層，以圍繞該半導(dǎo)體晶片與該些導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；以及移除該模子。

本揭露書的實(shí)施例提供一種晶片封裝體的形成方法，包括：于一承載基底之上形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；切除該些導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的較上部分，使得該些導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂表面大抵彼此共平面；于該承載基底之上設(shè)置一半導(dǎo)體晶片；以及該承載基底之上形成一保護(hù)層以圍繞該些導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與該半導(dǎo)體晶片，

本揭露書的實(shí)施例提供一種晶片封裝體，包括：一半導(dǎo)體晶片；一保護(hù)層，其包覆該半導(dǎo)體晶片；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于該保護(hù)層之中，且借著該保護(hù)層而與該半導(dǎo)體晶片隔離，其中保護(hù)層具有一凹陷，其介于該半導(dǎo)體晶片與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間。

附圖說(shuō)明

圖1A-1L顯示根據(jù)一些實(shí)施例的晶片封裝體的數(shù)階段制備工藝剖面圖。

圖2A-1、2B-1、及2C-1顯示根據(jù)一些實(shí)施例的晶片封裝體的數(shù)階段制備工藝剖面圖。

圖2A-2、2B-2、及2C-2顯示根據(jù)一些實(shí)施例的晶片封裝體的數(shù)階段制備工藝上視圖。

圖3A-3B顯示根據(jù)一些實(shí)施例的晶片封裝體的數(shù)階段制備工藝剖面圖。

其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下：

100～承載基底；

102～黏著層；

104～基層；

106～晶種層；

108～遮罩層；

110～開(kāi)口；

112A、112B、112C、112D～導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

114～半導(dǎo)體基底；

115～切割工具；

116～介電層；

118～導(dǎo)電墊；

120～黏著膜；

122、122A、122B～半導(dǎo)體晶片；

124～保護(hù)層；

126～凹陷；

128～內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；

130～導(dǎo)電凸塊；

132～構(gòu)件；

134～連接構(gòu)件；

200～模子；

201～密封構(gòu)件；

202～離型膜；

204～模塑化合物材料；

206～開(kāi)口；

230～空間；

D～深度；

H₁、H₂、H₃、H₄、H₅、H₆、H₇～高度；

ΔH～高度差；

L～假想線。

具體實(shí)施方式