[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710170594.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106803485A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-06-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 武岳;李珊;熊源 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/336 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280 | 代理人: | 袁江龍 |
| 地址: | 518006 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜晶體管 及其 制備 方法 顯示器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示器。
背景技術(shù)
一般的,在液晶面板的生產(chǎn)過(guò)程中,金屬導(dǎo)線的制備工藝包括沉積、光刻、濕法蝕刻以及光阻剝離等步驟,在這些步驟中濕法蝕刻直接影響金屬導(dǎo)線制備完成之后的精度,而金屬導(dǎo)線的精度又對(duì)顯示面板的質(zhì)量有很大影響,比如金屬導(dǎo)線表面過(guò)于粗糙會(huì)容易造成與其他膜層的接觸不良、電阻提升等問(wèn)題而最終影響顯示面板的指令。
現(xiàn)有技術(shù)中,為了提高金屬導(dǎo)線的表面精度,會(huì)在濕法蝕刻這一步驟中降低蝕刻速度,但這種方法會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)時(shí)間過(guò)長(zhǎng),進(jìn)而增加生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要提供一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示器,旨在解決薄膜晶體管的制備過(guò)程中圖案化金屬層在蝕刻后表面精度不高的問(wèn)題。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種薄膜晶體管的制備方法,所述方法包括:在基板上沉積金屬層;在所述金屬層上通過(guò)光刻工藝形成圖案化光阻層;對(duì)所述金屬層進(jìn)行第一次蝕刻,以形成表面粗糙的圖案化金屬層;對(duì)所述表面粗糙的圖案化金屬層進(jìn)行第二次蝕刻,以形成表面光滑的圖案化金屬層;剝離所述圖案化光阻層。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種薄膜晶體管,所述薄膜晶體管通過(guò)上述的方法制備而成。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種顯示器,所述顯示器包括上述的薄膜晶體管。
本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本發(fā)明通過(guò)在基板上沉積金屬層;在金屬層上通過(guò)光刻工藝形成圖案化光阻層;對(duì)金屬層進(jìn)行第一次蝕刻,以形成表面粗糙的圖案化金屬層;對(duì)表面粗糙的圖案化金屬層進(jìn)行第二次蝕刻,以形成表面光滑的圖案化金屬層;剝離圖案化光阻層的方法,在形成表面粗糙的圖案化金屬層之后再進(jìn)行一次蝕刻,形成表面光滑的圖案化金屬層,提高了圖案化金屬層的表面精度,且在第一次蝕刻時(shí)不需要降低蝕刻速度,縮短生產(chǎn)時(shí)間,降低生產(chǎn)成本。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明提供的薄膜晶體管實(shí)施例的流程示意圖;
圖2是圖1中步驟S12的具體流程示意圖;
具體實(shí)施方式
為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所提供的一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示器做進(jìn)一步詳細(xì)描述。
參閱圖1,本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法實(shí)施例包括:
S11:在基板上沉積金屬層;
具體地,在沉積金屬層之前,將基板清洗干凈,然后可使用物理氣相沉積法或等離子體氣相沉積法在基板上沉積金屬層。
其中,金屬層可以是包括但不限于氧化銦錫的金屬層;基板可以是包括但不限于硅片及玻璃的基板。
S12:在金屬層上通過(guò)光刻工藝形成圖案化的光阻層;
參閱圖2,該步驟可具體包括:
S121:在金屬層上進(jìn)行光阻涂布以形成光阻層;
具體地,可使用光阻涂布設(shè)備通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法,利用旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力,將滴于金屬層上的光阻劑甩開(kāi),在光阻劑表面張力以及旋轉(zhuǎn)離心力的共同作用下,形成光阻膜。
其中,光阻劑是主要由樹(shù)脂、感光劑及溶劑混合而成的感光材料。
在形成光阻膜之后,在一定溫度下,對(duì)其進(jìn)行烘烤,形成干燥的光阻膜,即光阻層。
S122:對(duì)光阻層進(jìn)行曝光處理以在光阻層上形成圖案;
具體地,在掩膜版的作用下,利用光源發(fā)射光透過(guò)掩膜版照射到光阻層的表面,其中,對(duì)于掩膜版上透明的部分,光透過(guò)該透明的部分照射到光阻層上,與相對(duì)應(yīng)的部分光阻層發(fā)生反應(yīng),對(duì)于掩膜版上不透明的部分,光無(wú)法透過(guò)而相對(duì)應(yīng)的部分光阻層不發(fā)生反應(yīng),從而使得掩膜版上的圖案在光的照射下投影在光阻層上。
其中,光源的選擇根據(jù)光阻層的材料而定,不同的光阻層對(duì)應(yīng)不同波長(zhǎng)的光源,在本實(shí)施例中,以UV光為例。
S123:對(duì)形成圖案的光阻層進(jìn)行顯影處理以形成圖案化光阻層。
在上述曝光處理后的光阻層上噴灑顯影液,顯影液將溶解掉上述中被光照射的部分光阻層,而未被光照射的部分則不會(huì)被溶解而保留下來(lái),保留下來(lái)的部分就形成了圖案化光阻層。
S13:對(duì)金屬層進(jìn)行第一次蝕刻,以形成表面粗糙的圖案化金屬層;
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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