[發明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示器在審
| 申請號： | 201710170594.4 | 申請日： | 2017-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN106803485A | 公開（公告）日： | 2017-06-06 |
| 發明（設計）人： | 武岳;李珊;熊源 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280 | 代理人： | 袁江龍 |
| 地址： | 518006 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜晶體管 及其 制備 方法 顯示器 | ||
1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上沉積金屬層；
在所述金屬層上通過光刻工藝形成圖案化光阻層；
對所述金屬層進行第一次蝕刻，以形成表面粗糙的圖案化金屬層；
對所述表面粗糙的圖案化金屬層進行第二次蝕刻，以形成表面光滑的圖案化金屬層；
剝離所述圖案化光阻層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述表面粗糙的圖案化金屬層進行第二次蝕刻，以形成表面光滑的圖案化金屬層包括：
使用微蝕刻液對所述表面粗糙的圖案化金屬層進行微蝕刻，以形成所述表面光滑的圖案化金屬層。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述微蝕刻液為雙氧水、氫氟酸和水的混合溶液。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述金屬層進行第一次蝕刻，以形成表面粗糙的圖案化金屬層包括：
使用蝕刻液對所述金屬層進行第一次蝕刻，以去除未被所述圖案化的光阻層覆蓋的所述金屬層，形成所述表面粗糙的圖案化金屬層。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述蝕刻液為硫酸與雙氧水的混合溶液。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上沉積金屬層包括：
通過物理氣相沉積法在所述基板上沉積金屬層。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述金屬層上通過光刻工藝形成圖案化光阻層包括：
在所述金屬層上進行光阻涂布以形成光阻層；
對所述光阻層進行曝光處理以在所述光阻層上形成圖案；
對形成圖案的所述光阻層進行顯影處理以形成所述圖案化光阻層。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述剝離所述圖案化光阻層包括：
在所述圖案化的光阻層上滴入去光阻液，并在所述去光阻液與所述圖案化的光阻層發生化學反應之后進行清洗，以去除所述圖案化光阻層。
9.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管通過如權利要求1～8任一項所述的方法制備而成。
10.一種顯示器，其特征在于，所述顯示器包括權利要求9所述的薄膜晶體管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
