[發明專利]芯片封裝結構在審
| 申請號: | 201710170548.4 | 申請日: | 2017-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN107342271A | 公開(公告)日: | 2017-11-10 |
| 發明(設計)人: | 陳劭昀;陳憲偉;蘇安治 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人: | 李昕巍,章侃銥 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 封裝 結構 | ||
技術領域
本公開實施例涉及芯片封裝結構。
背景技術
半導體集成電路產業已經歷快速成長。集成電路材料與設計的技術進步,產生一代又一代的集成電路。每一代的集成電路均比前一代具有更小且更復雜的電路。然而這些進產亦增加集成電路工藝的復雜度。
在集成電路革新中,功能密度(每單位面積的內連線裝置數目)增加,而幾何尺寸(如工藝所能形成的最小構件或線路)隨之縮小。上述尺寸縮小的工藝通常有利于增加產能并降低相關成本。
然而,結構尺寸持續縮小造成工藝越來越難實施。如此一來,如何形成越來越小且可信的半導體裝置為目前挑戰。
發明內容
本公開的主要目的在于提供一種芯片封裝結構,以維持或增加芯片封裝與基板之間的導電路徑的數目。本公開的主要目的在于提供一種芯片封裝結構,以縮短芯片封裝與基板之間的導電路徑的距離并增加信號傳導的速度和增進芯片的效能。
本公開一實施例提供的芯片封裝結構,包括:基板;芯片封裝,堆疊于基板上;多個第一導電凸塊,配置于芯片封裝與基板之間并直接接觸芯片封裝及基板,以提供空間;芯片結構,具有對向設置的第一面與第二面,配置于芯片封裝與基板之間的空間中,并與第一導電凸塊相鄰,其中芯片結構包含至少一芯片;焊料蓋,連接芯片結構的第一面與芯片封裝;第二導電凸塊,連接芯片結構的第二面與基板;以及導電通孔結構,穿過芯片結構的芯片,其中導電通孔結構使焊料蓋電性連接至第二導電凸塊。
本公開提供的晶體封裝結構的優點和有益效果在于:芯片封裝結構具有芯片結構于芯片封裝與基板(或另一芯片封裝)之間。芯片結構具有導電通孔結構使芯片封裝電性連接至基板,因此芯片結構具有導電凸塊的功能。如此一來,芯片結構可維持或增加芯片封裝與基板之間的導電路徑的數目。如此一來,芯片結構可縮短芯片封裝與基板之間的導電路徑的距離并增加信號傳導的速度和增進芯片的效能。
附圖說明
圖1A為一些實施例中,芯片封裝結構的剖視圖。
圖1B為一些實施例中,芯片封裝結構的芯片結構、焊料蓋、與導電凸塊的剖視圖。
圖2為一實施例中,芯片封裝結構的剖視圖。
圖3為一些實施例中,芯片封裝結構的剖視圖。
圖4為一些實施例中,芯片封裝結構的剖視圖。
圖5為一些實施例中,芯片封裝結構的剖視圖。
圖6為一些實施例中,芯片封裝結構的剖視圖。
附圖標記說明:
A 內壁
D1、D2、D3 距離
F1 第一面
F2 第二面
H1、H2、H3、H4 最大高度
L 導電柱
OP1、OP2、147a 開口
P、114a、114b、128c、128d、143c、148、181c、181d、181f、182a、183a 導電墊
R、111、181g 凹陷
TH 穿孔
W1、W2、W3、W4 最大寬度
W5、W6 寬度
100、200、300、400、500 芯片封裝結構
110 基板
112、128a、129a、129b、143a、181a 介電層
116 線路層
118 導電通孔
120、180 芯片封裝
122 芯片結構
122a、141、182、183 芯片
122b 內連線結構
122c、142、144、145、147、149a、149b 絕緣層
124、186 成型化合物
126、146 導電通孔結構
128、143、181 再布線結構
128b、129c、143b、181b 再布線層
128e、143d、181e 導電通孔
130、160、190 導電凸塊
140 芯片結構
141a、141b 表面
150 焊料蓋
170、210 填充層
184、185 導電線路
具體實施方式
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