[發明專利]一種上電復位電路

有效

• 申請號: 201710169793.3
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN106972846B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 馬騰飛;張寧;錢翼飛;葉立
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22;H03K17/284
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種上電復位電路，包括：

觸發電壓產生電路，用于產生上電時的上電觸發電壓和掉電時的掉電觸發電壓；

延遲電路，用于上電時將上電觸發電壓延時輸出；

整形電路，用于將該延遲電路輸出的電壓進行整形為數字電路所需的數字信號；

其中，該整形電路包括一施密特觸發器、第一反相器和第二反相器；

該觸發電壓產生電路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管以及一電阻，該第一NMOS管NM1的柵極、該電阻之一端接電源正端，該電阻的另一端與第一NMOS管的漏極、第二NMOS管的漏極以及延遲電路的輸入端相連組成節點Vtrig，該第一NMOS管的源極接地，該第二NMOS管的源極接該第三NMOS管的漏極，該第三NMOS管的源極接地，柵極與該第一反相器的輸出端以及該第二反相器的輸入端相連。

2.如權利要求1所述的一種上電復位電路，其特征在于：該延遲電路包括兩個MOS管以及一延時電容。

3.如權利要求2所述的一種上電復位電路，其特征在于：該延遲電路包括第一PMOS管、第四NMOS管以及延時電容，該第一PMOS管的源極接電源正端，其柵極與該電阻的另一端、該第一NMOS管的漏極、該第二NMOS管的漏極、以及該第四NMOS管的柵極組成該節點Vtrig，該第一PMOS管的源極與該電阻的一端連接，該第四NMOS管的源極與延時電容的一端接地，該第一PMOS管的漏極、第四NMOS管的漏極、該延時電容的另一端以及該整形電路的輸入端相連組成節點Vdelay。

4.如權利要求3所述的一種上電復位電路，其特征在于：該施密特觸發器的輸入端連接該節點Vdelay，輸出端與該第一反相器的輸入端相連，該第一反相器的輸出端與該第二反相器的輸入端以及該第三NMOS管的柵極相連組成節點OUTB，該第二反相器的輸出端為該上電復位電路的輸出。

5.如權利要求4所述的一種上電復位電路，其特征在于：該第三NMOS管為開關，由OUTB信號控制，當OUTB信號為高時，第二NMOS管與第一NMOS管并聯，等效NMOS的寬長比減小，等效閾值電壓下降。

6.如權利要求5所述的一種上電復位電路，其特征在于：該第一PMOS管采用倒比管。