[發(fā)明專利]硅襯底片拋光方法和裝置

在審

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• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN107030583A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙慧佳;姜博成;金軍;路新春;沈攀
• 申請（專利權(quán)）人: 天津華海清科機電科技有限公司;清華大學(xué)
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11201
• 代理人: 黃德海

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及硅襯底片拋光領(lǐng)域，尤其涉及一種硅襯底片拋光方法和裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的硅襯底片的拋光過程包括粗拋、中拋和精拋三個過程，工藝復(fù)雜、加工工藝時間長，且拋光后硅襯底片表面粗糙度只能達(dá)到0.3～0.5nm，已不能達(dá)到高端產(chǎn)品的要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。

為此，本發(fā)明的第一個目的在于提出一種硅襯底片拋光方法，通過粗略拋光和精細(xì)拋光兩個工藝步驟對硅襯底片進(jìn)行拋光，減少了工藝步驟，縮短了加工工藝時間，且拋光后的硅襯底片的表面粗糙度更小。

本發(fā)明的第二個目的在于提出一種硅襯底片拋光裝置。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明第一方面實施例提出了一種硅襯底片拋光方法，包括：對硅襯底片進(jìn)行粗略拋光；對粗略拋光后的硅襯底片進(jìn)行精細(xì)拋光。

本發(fā)明實施例的硅襯底片拋光方法，通過粗略拋光和精細(xì)拋光兩個工藝步驟對硅襯底片進(jìn)行拋光，減少了工藝步驟，縮短了加工工藝時間，且拋光后的硅襯底片的表面粗糙度更小。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明第二方面實施例提出了一種硅襯底片拋光裝置，包括：粗拋模塊，用于對硅襯底片進(jìn)行粗略拋光；精拋模塊，用于對粗略拋光后的硅襯底片進(jìn)行精細(xì)拋光。

本發(fā)明實施例的硅襯底片拋光裝置，通過粗略拋光和精細(xì)拋光兩個工藝步驟對硅襯底片進(jìn)行拋光，減少了工藝步驟，縮短了加工工藝時間，且拋光后的硅襯底片的表面粗糙度更小。

本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。

附圖說明

本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的硅襯底片拋光方法的流程圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的硅襯底片拋光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例的硅襯底片拋光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。

下面參考附圖描述本發(fā)明實施例的硅襯底片拋光方法和裝置。

針對目前硅襯底片拋光過程工藝復(fù)雜、加工工藝時間長且獲得的硅襯底片表面粗糙度大的問題，本發(fā)明實施例提出一種硅襯底片拋光方法，包括：對硅襯底片進(jìn)行粗略拋光；對粗略拋光后的硅襯底片進(jìn)行精細(xì)拋光。

圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的硅襯底片拋光方法的流程圖。

如圖1所示，該硅襯底片拋光方法包括：

S101，對硅襯底片進(jìn)行粗略拋光。

為了快速去除研磨后的硅襯底片上的痕跡和減少硅襯底片表面的粗糙度，可通過粗略拋光對研磨后的硅襯底片進(jìn)行處理。具體而言，將研磨后的硅襯底片放入拋光設(shè)備，使用粗拋液，以拋光轉(zhuǎn)速為80～100rpm，拋光壓力為2～4psi，拋光時間為15～30min的粗拋工藝對硅襯底片進(jìn)行粗略拋光。經(jīng)粗略拋光的硅襯底片的去除量不小于5μm，且粗略拋光后的硅襯底片的表面粗糙度小于0.6nm。

S102，對粗略拋光后的硅襯底片進(jìn)行精細(xì)拋光。

經(jīng)過粗略拋光后的硅襯底片的表面粗糙度小于0.6nm，仍未達(dá)到最終的使用要求，因此還需要對硅襯底片進(jìn)行精細(xì)拋光。

具體地，將粗略拋光后的硅襯底片放入拋光設(shè)備，使用精拋液，以拋光轉(zhuǎn)速為80～100rpm，拋光壓力1～3psi，拋光時間為5～15min的精拋工藝對粗略拋光后的硅襯底片進(jìn)行精細(xì)拋光。經(jīng)過精細(xì)拋光后的硅襯底片的表面粗糙度小于0.2nm，低于經(jīng)過現(xiàn)有拋光技術(shù)拋光后的硅襯底片的表面粗糙度。

可見，本發(fā)明提出的硅襯底片拋光方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，減少了中拋的工藝步驟，并且可獲得表面粗糙度更小的硅襯底片。

另外，為了去除拋光后硅襯底片上的雜質(zhì)，在對硅襯底片進(jìn)行粗略拋光和精細(xì)拋光之后，可利用超聲清洗槽對硅襯底片進(jìn)行清洗。

下面以兩個具體實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明提出的硅襯底片拋光方法。