[發明專利]硅襯底片拋光方法和裝置在審
| 申請號： | 201710168988.6 | 申請日： | 2017-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN107030583A | 公開（公告）日： | 2017-08-11 |
| 發明（設計）人： | 趙慧佳;姜博成;金軍;路新春;沈攀 | 申請（專利權）人： | 天津華海清科機電科技有限公司;清華大學 |
| 主分類號： | B24B29/02 | 分類號： | B24B29/02 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)11201 | 代理人： | 黃德海 |
| 地址： | 300350 天津市津*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 拋光 方法 裝置 | ||
1.一種硅襯底片拋光方法，其特征在于，包括：
對硅襯底片進行粗略拋光；
對粗略拋光后的硅襯底片進行精細拋光。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對硅襯底片進行粗略拋光，包括：
使用粗拋液，以粗拋工藝對硅襯底片進行粗略拋光。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對粗略拋光后的硅襯底片進行精細拋光，包括：
使用精拋液，以精拋工藝對粗略拋光后的硅襯底片進行精細拋光。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述粗拋工藝包括拋光轉速為80～100rpm，拋光壓力為2～4psi，拋光時間為15～30min。
5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，硅襯底片的去除量不小于5μm，且粗略拋光后的硅襯底片的表面粗糙度小于0.6nm。
6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述精拋工藝包括拋光轉速為80～100rpm，拋光壓力1～3psi，拋光時間為5～15min。
7.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，精細拋光后的硅襯底片的表面粗糙度小于0.2nm。
8.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括：
在對硅襯底片進行粗略拋光之后和/或進行精細拋光之后，利用超聲清洗槽對所述硅襯底片進行清洗。
9.一種硅襯底片拋光裝置，其特征在于，包括：
粗拋模塊，用于對硅襯底片進行粗略拋光；
精拋模塊，用于對粗略拋光后的硅襯底片進行精細拋光。
10.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述粗拋模塊，用于：
使用粗拋液，以粗拋工藝對硅襯底片進行粗略拋光。
11.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述精拋模塊，用于：
使用精拋液，以精拋工藝對粗略拋光后的硅襯底片進行精細拋光。
12.根據權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述粗拋工藝包括拋光轉速為80～100rpm，拋光壓力為2～4psi，拋光時間為15～30min。
13.根據權利要求10所述的裝置，其特征在于，硅襯底片的去除量不小于5μm，且粗略拋光后的硅襯底片的表面粗糙度小于0.6nm。
14.根據權利要求11所述的裝置，其特征在于，所述精拋工藝包括拋光轉速為80～100rpm，拋光壓力1～3psi，拋光時間為5～15min。
15.根據權利要求11所述的裝置，其特征在于，精細拋光后的硅襯底片的表面粗糙度小于0.2nm。
16.根據權利要求10所述的裝置，其特征在于，還包括：
清洗模塊，用于在對硅襯底片進行粗略拋光之后和/或進行精細拋光之后，利用超聲清洗槽對所述硅襯底片進行清洗。
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