[發明專利]顯示裝置、指紋識別單元以及薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201710168073.5
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN106876332B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 劉英偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786;G06K9/00
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李莎;李弘

本發明公開了一種顯示裝置、指紋識別單元以及薄膜晶體管及其制造方法，所述方法包括：在基板上先后沉積金屬層和作為保護層的銦鋅氧化層；對所述金屬層和銦鋅氧化層進行刻蝕形成光敏器件的第一、二電極；在所述第一電極之上形成所述光敏器件的光電半導體。本發明的薄膜晶體管在制備過程中，可避免光電半導體下面的電極金屬損傷，以提高產品質量和合格率。

技術領域

本發明涉及薄膜晶體管技術領域，特別是指一種顯示裝置、指紋識別單元以及薄膜晶體管及其制造方法。

背景技術

隨著顯示技術的飛速發展，具有指紋識別功能的顯示面板已經逐漸普及。目前，為利于顯示面板的輕薄化，在顯示面板內部通常采用薄膜晶體管的指紋識別單元。

如圖1所示，現有的指紋識別單元通常包括具有光電轉換性能的光敏器件101，以及開關器件102。光敏器件101的第一電極(或稱負電極)與開關器件102的漏極電連接，光敏器件101的第二電極(或稱正電極)與參考電壓(V_d)數據線電連接；開關器件102的源極連接于數據讀取信號線(L_read)，開關器件102的柵極連接于控制信號線(L_gate)。

在應用于指紋識別時，可以通過控制信號線向開關器件102的柵極提供控制信號，控制開關器件102的源極和漏極之間的導通或關斷；在源極和漏極導通的情況下，當光敏器件101接收反射光后，產生光電流，光電流可以通過開關器件102的通過源極和漏極被數據讀取信號線讀取。

由于手指的指紋谷與指紋脊反射光線不一樣，導致指紋谷與指紋脊下方的指紋識別單元的光敏器件接收的光線強度不一樣，因此輸出的電流大小不同；通過識別各指紋識別單元輸出的電流，可以獲得手指紋路的圖像。

光敏器件主要是由具有光電轉換功能的半導體(簡稱光電半導體)構成，比如PIN或PN型半導體，或肖特基型的半導體。目前，在制作包含有光電半導體的薄膜晶體管的過程中，在沉積了一層光電半導體薄膜后的構圖工藝中，需對光電半導體進行刻蝕。在光電半導體刻蝕過程中，由于光電半導體薄膜較厚，會增加較多的過刻量，從而容易造成對光電半導體下面的電極金屬損傷，出現電極過刻問題。電極金屬損傷后，電極的電學連接性能會變差，可能出現斷路、導通不良等情況，導致產品質量不可靠，降低產品合格率。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提出一種顯示裝置、指紋識別單元以及薄膜晶體管及其制造方法，在制備薄膜晶體管的光電半導體刻蝕過程中，避免光電半導體下面的電極金屬損傷，以提高產品質量和合格率。

基于上述目的本發明提供一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

在基板上先后沉積金屬層和作為保護層的銦鋅氧化層；

對所述金屬層和銦鋅氧化層進行刻蝕形成光敏器件的第一、二電極；其中，第一電極包括銦鋅氧化層以及覆蓋于所述銦鋅氧化層下的金屬層，第二電極包括銦鋅氧化層以及覆蓋于所述銦鋅氧化層下的金屬層；

在所述第一電極之上形成所述光敏器件的光電半導體后，去除第二電極的銦鋅氧化層。

其中，所述去除第二電極的銦鋅氧化層，具體為：

采用濕法刻蝕方法去除未被覆蓋的銦鋅氧化層。

進一步，在所述對金屬層和銦鋅氧化層進行刻蝕時，還包括：

在所述基板上形成開關器件的柵極；以及

在所述形成所述光敏器件的光電半導體后還包括：

沉積覆蓋于所述柵極、第一、二電極以及光電半導體上的絕緣層；

在所述柵極的上方，形成覆蓋于絕緣層上的所述開關器件的半導體溝道；