[發明專利]顯示裝置、指紋識別單元以及薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201710168073.5
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN106876332B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 劉英偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786;G06K9/00
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李莎;李弘

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上先后沉積金屬層和作為保護層的銦鋅氧化層；

對所述金屬層和銦鋅氧化層進行刻蝕形成光敏器件的第一、二電極；其中，第一電極包括銦鋅氧化層以及覆蓋于所述銦鋅氧化層下的金屬層，第二電極包括銦鋅氧化層以及覆蓋于所述銦鋅氧化層下的金屬層；

在所述第一電極之上形成所述光敏器件的光電半導體后，去除第二電極的銦鋅氧化層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除第二電極的銦鋅氧化層，具體為：

采用濕法刻蝕方法去除未被所述光電半導體覆蓋的銦鋅氧化層。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述對金屬層和銦鋅氧化層進行刻蝕后，還包括：

在所述基板上形成開關器件的柵極；以及

在所述形成所述光敏器件的光電半導體后還包括：

沉積覆蓋于所述柵極、第一、二電極以及光電半導體上的絕緣層；

在所述柵極的上方，形成覆蓋于絕緣層上的所述開關器件的半導體溝道；

在經過絕緣層的構圖工藝后，形成連接于所述半導體溝道兩端的所述開關器件的源極和漏極；其中，所述漏極電連接至所述第一電極。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述沉積覆蓋于所述柵極、第一、二電極以及光電半導體上的絕緣層之前，還包括：

形成覆蓋于所述光電半導體上的一層ITO膜。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述形成連接于所述半導體溝道兩端的所述半導體開關的源極和漏極后，還包括：

沉積覆蓋于所述源極、漏極和金屬連接體之上的第一透明介質層；

在經過第一透明介質層的構圖工藝后，形成連通所述光電半導體與第二電極之間的ITO膜。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成連通所述光電半導體與第二電極之間的ITO膜后，還包括：

沉積覆蓋于所述第一透明介質層、ITO膜上的透明樹脂層；

在位于所述半導體溝道的上方，形成覆蓋于所述透明樹脂層上的擋光層；

在所述擋光層、透明樹脂層上沉積第二透明介質層。

7.一種薄膜晶體管，包括：基板，其特征在于，還包括：

位于所述基板上的光敏器件的第一、二電極，其中，所述第一電極包括銦鋅氧化層以及覆蓋于所述銦鋅氧化層下的金屬層；

所述光敏器件的光電半導體，覆蓋于所述第一電極的銦鋅氧化層上；

其中，第一、二電極是在對所述金屬層和銦鋅氧化層進行刻蝕時形成的，且包括銦鋅氧化層以及覆蓋于所述銦鋅氧化層下的金屬層的第二電極在所述光電半導體形成后被去除了銦鋅氧化層。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：電連接所述光電半導體與第二電極的ITO膜。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：開關器件；所述開關器件包括：柵極、源極、漏極、柵極以及半導體溝道；

其中，所述柵極位于所述基板上絕緣于所述源極、漏極以及半導體溝道，所述半導體溝道連接于所述源極、漏極之間；所述漏極與所述第一電極電連接。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：位于所述基板上的絕緣層；以及

所述絕緣層包裹于所述柵極、光電半導體、第一、二電極，以及連接所述光電半導體與所述第二電極的ITO膜的外圍；

所述源極、漏極、半導體溝道在所述絕緣層之上。