[發(fā)明專利]微弧氧化不粘鍋及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710166632.9 | 申請(qǐng)日： | 2017-03-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107115005A | 公開（公告）日： | 2017-09-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 方承勇;瞿義生;金偉平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 武漢蘇泊爾炊具有限公司 |
| 主分類號(hào)： | A47J27/00 | 分類號(hào)： | A47J27/00;A47J36/04;C25D15/00;C25D11/02 |
| 代理公司： | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240 | 代理人： | 趙囡囡,梁文惠 |
| 地址： | 430051 湖*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化 不粘鍋 及其 制備 方法 | ||
1.一種微弧氧化不粘鍋，其特征在于，包括：
鍋體基材層(10)；
微弧氧化膜層(20)，設(shè)置在所述鍋體基材層(10)上，所述微弧氧化膜層(20)中設(shè)置有固體潤(rùn)滑顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微弧氧化不粘鍋，其特征在于，所述固體潤(rùn)滑顆粒為石墨顆粒，優(yōu)選所述石墨顆粒的粒徑為0.5～0.9μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微弧氧化不粘鍋，其特征在于，所述微弧氧化膜層(20)的遠(yuǎn)離所述鍋體基材層的部分為第一微弧氧化膜層(22)，所述第一微弧氧化膜層(22)的孔隙率為5～30％，優(yōu)選所述第一微弧氧化膜層(22)的微孔孔徑在3～10μm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微弧氧化不粘鍋，其特征在于，所述微弧氧化膜層(20)的厚度為30～100μm，優(yōu)選所述第一微弧氧化膜層(22)的厚度為所述微弧氧化膜層(20)厚度的20～40％。
5.一種微弧氧化不粘鍋的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供具有固體潤(rùn)滑顆粒的電解液；
利用所述電解液對(duì)鍋體基材層(10)進(jìn)行微弧氧化，在所述鍋體基材層(10)上形成具有所述固體潤(rùn)滑顆粒的微弧氧化膜層(20)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述固體潤(rùn)滑顆粒為石墨顆粒，優(yōu)選所述石墨顆粒的粒徑為0.5～0.9μm，進(jìn)一步優(yōu)選所述電解液中所述固體潤(rùn)滑顆粒的含量為5g/L～25g/L。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述微弧氧化過程中，控制電源的正負(fù)脈沖占空比為10～50％。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述微弧氧化過程中，控制電源的頻率為200～800Hz。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述微弧氧化過程中，控制電源的正向脈沖為300～700V，負(fù)向脈沖為80～100V。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述微弧氧化過程中，控制電源的電流密度為3～4A/dm2。
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