[發明專利]一種金屬納米線的清洗方法有效
| 申請號: | 201710166404.1 | 申請日: | 2017-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN106862553B | 公開(公告)日: | 2018-08-14 |
| 發明(設計)人: | 岳魯敏;鄭逸群;禹益善;蘇陽 | 申請(專利權)人: | 濟寧利特納米技術有限責任公司 |
| 主分類號: | B22F1/00 | 分類號: | B22F1/00;C23G5/032;C23G5/036;C23G5/024;B08B3/04 |
| 代理公司: | 濟寧匯景知識產權代理事務所(普通合伙) 37254 | 代理人: | 張艷贊 |
| 地址: | 272100 山東省濟*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬 納米 清洗 方法 | ||
1.一種金屬納米線的清洗方法,包括涂層工序、清洗工序、分散工序和清除工序,其特征在于,所述涂層工序、清洗工序、分散工序和清除工序依次進行;
所述涂層工序為:在金屬納米線表面形成一層保護層,所述保護層包括無機氧化物保護層、無機鹽保護層或有機物保護層,所述無機氧化物保護層材質包括但不限于二氧化硅、二氧化鈦、氧化銅、三氧化二鐵、氧化鋅、氧化鎂或氧化鋁,所述無機鹽保護層材質包括但不限于碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋇或碳酸鋅,所述有機物保護層材質包括但不限于十六烷基三甲基氯化銨、十六烷基三甲基溴化銨、三苯基膦、氯化十六烷基吡啶或溴化十六烷基吡啶;
形成所述無機氧化物保護層的方法至少為一種,包括熱分解法或水解法;所述熱分解法步驟為:將金屬納米線漿料與溶劑混合均勻,加入無機氧化物保護層前驅物,待其溶解后加入助劑Ⅰ形成保護層,用溶劑抽濾清洗含保護層的金屬納米線,一定溫度下進行熱分解形成無機氧化物保護層;所述水解法步驟為:將金屬納米線漿料與溶劑混合均勻,加入無機氧化物保護層前驅物,待其混合均勻后加入助劑Ⅰ,形成無機氧化物保護層;形成所述的無機鹽保護涂層步驟為:將金屬納米線漿料與溶劑混合均勻,加入無機鹽保護層前驅物,待其溶解后加入助劑Ⅰ形成無機鹽保護層;形成所述有機物保護涂層步驟為:將金屬納米線漿料與溶劑混合均勻,加入有機物保護層前驅物,混合一定時間后形成一層有機物保護層;
所述的清洗工序為:以溶劑清洗含保護層的金屬納米線,得到清洗物;清洗方式為抽濾洗滌;
所述分散工序為:將含有保護層的金屬納米線與分散劑溶液混合均勻,所述的分散劑至少為一種,包括陰離子表面活性劑、陽離子表面活性劑、非離子表面活性劑、兩性離子表面活性劑、鹽類及有機高分子;所述的陰離子表面活性劑至少為一種,包括十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基磷酸酯鉀鹽、十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸鈉或十二烷基硫酸鈉;陽離子表面活性劑至少為一種,包括十六烷基三甲基氯化銨、十六烷基三甲基溴化銨、十二烷基二甲基芐基氯化銨或十二烷基吡啶氯化銨;非離子表面活性劑至少為一種,包括聚乙烯吡咯烷酮、烷基酚聚氧乙烯醚、硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚、硬脂酸聚氧乙烯酯、吐溫或司盤;兩性離子表面活性劑至少為一種,包括十二烷基氨基丙酸、烷基二甲基磺乙基甜菜堿、烷基二甲基羥丙基磷酸脂甜菜堿或烷基二甲基甜菜堿;鹽類至少為一種,包括氯化鈉、溴化鈉、檸檬酸鈉、醋酸鈉或草酸鈉;有機高分子至少為一種,包括聚乙烯醇、聚氧乙烯、羥基甲基纖維素、聚苯乙烯磺酸鹽或氨基烷基丙烯酸酯共聚物;
所述清除工序為:采用溶解法對金屬納米線表面的保護層進行清除,所述溶解法為將含有保護層的金屬納米線分散液與助劑Ⅱ混合均勻,靜置傾去上清液,得洗清過后的金屬納米線。
2.根據權利要求1所述的金屬納米線的清洗方法,其特征在于所述涂層工序中,金屬納米線漿料濃度為0.01-50mg/ml;金屬納米線與保護層前驅物的質量比為(1:0.01)-(1:50);金屬納米線漿料與溶劑的體積比為(1:0.1)-(1:50);保護層前驅物與助劑Ⅰ的質量比為(1:0.01)-(1:10);熱分解溫度為30-1500℃。
3.根據權利要求1所述的金屬納米線的清洗方法,其特征在于所述的無機氧化物保護層前驅物至少為一種,包括硝酸銅、硫酸銅、氯化銅、氯化鈣、硝酸鈣、氯化鎂、硝酸鎂、氯化鐵、硝酸鐵、硝酸鋅、氯化鋅、氯化鋁、硝酸鋁、硫酸鋁、硝酸鋇、氯化鋇、鈦酸四丁酯、異丙醇鈦、硫酸鈦、四氯化鈦、原硅酸四乙酯或正硅酸甲酯,形成無機氧化物保護層的厚度大于1nm;所述的無機鹽保護層前驅物至少為一種,包括硝酸銅、硫酸銅、氯化銅、氯化鈣、硝酸鈣、氯化鎂、硝酸鎂、氯化鐵、硝酸鐵、硝酸鋅、氯化鋅、氯化鋁、硝酸鋁、硫酸鋁、硝酸鋇或氯化鋇,形成無機鹽保護層厚度大于1nm;所述的有機物保護層前驅物至少為一種,包括十六烷基三甲基氯化銨、十六烷基三甲基溴化銨、三苯基膦、氯化十六烷基吡啶或溴化十六烷基吡啶。
4.根據權利要求1所述的金屬納米線的清洗方法,其特征在于所述助劑Ⅰ至少為一種,包括去離子水、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸氫鈉、磷酸或硫酸;助劑Ⅱ至少為一種,包括鹽酸、硝酸、硫酸、醋酸、氨水、氯化銨、硫酸銨、硝酸銨、氫氧化鉀或氫氧化鈉。
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