[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法以及制造發(fā)光二極管模塊的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710165974.9
• 申請日: 2013-06-14
• 公開（公告）號: CN107134519B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發(fā)明（設計）人: 蔡鐘炫;張鐘敏;盧元英;徐大雄;姜珉佑;李俊燮;金賢兒
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/46;H01L33/38;H01L33/44
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

1.一種發(fā)光二極管，包括：

基底；

形成在基底上的第一半導體層；

形成在第一半導體層上且被構造成產(chǎn)生光的活性層；

形成在活性層上且具有與第一半導體層互補的導電類型的第二半導體層；

形成在第二半導體層上且包括導電氧化物的電阻接觸層；

形成在電阻接觸層上的構造成反射光的反射金屬層；

形成在反射金屬層上且屏蔽反射金屬層的頂部和側向表面的導電阻擋層；以及

形成在電阻接觸層上的第一絕緣層，

第一絕緣層為分布布拉格反射層。

2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，還包括應力松弛層，應力松弛層形成于反射金屬層和導電阻擋層之間，且被構造成吸收由反射金屬層和導電阻擋層之間的熱膨脹系數(shù)差引起的應力。

3.如權利要求2所述的發(fā)光二極管，其中，應力松弛層的熱膨脹系數(shù)等于或高于導電阻擋層的熱膨脹系數(shù)，且等于或低于反射金屬層的熱膨脹系數(shù)，并且反射金屬層和導電阻擋層之間的熱膨脹系數(shù)差不為零。

4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，反射金屬層包括鋁、鋁合金、銀或銀合金。

5.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，導電阻擋層包括鎢、鎢化鈦、鉬、鈦、鉻、鉑、銠、鈀或鎳。

6.如權利要求2所述的發(fā)光二極管，其中，當反射金屬層包括鋁或鋁合金，且導電阻擋層包括鎢、鎢化鈦或鉬時，應力松弛層是由Ag、Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd或Cr形成的單層、或者由Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd或Au形成的組合物。

7.如權利要求2所述的發(fā)光二極管，其中，當反射金屬層包括鋁或鋁合金，且導電阻擋層包括鈦、鉻、鉑、銠、鈀或鎳時，應力松弛層是由Ag或Cu形成的單層、或者由Ni、Au、Cu或Ag形成的組合物。

8.如權利要求2所述的發(fā)光二極管，其中，當反射金屬層包括銀或銀合金，且導電阻擋層包括鎢、鎢化鈦或鉬時，應力松弛層是由Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd或Cr形成的單層、或者由Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd、Cr或Au形成的組合物。

9.如權利要求2所述的發(fā)光二極管，其中，當反射金屬層包括銀或銀合金，且導電阻擋層包括鉑或鎳時，應力松弛層是由Cu、Cr、Rh、Pd、TiW或Ti形成的單層、或者由Ni、Au或Cu形成的組合物。

10.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，還包括形成在第一絕緣層上的導電反射層，

導電反射層電連接于第一半導體層，并且被構造成暴露反射金屬層。

11.如權利要求10所述的發(fā)光二極管，其中，還包括形成在導電反射層上的反射阻擋層，反射阻擋層包括Ni、Cr或Au。

12.如權利要求11所述的發(fā)光二極管，其中，還包括形成在反射阻擋層上的第二絕緣層，

第二絕緣層為基于氧化物的絕緣材料、基于氮化物的絕緣材料、作為聚合物的聚酰亞胺、特氟隆和聚對亞苯基二甲基中的一個。

13.如權利要求12所述的發(fā)光二極管，其中，包括形成在第二絕緣層上的第一焊盤及第二焊盤，在第一焊盤及第二焊盤上形成有包括Cr、Ni、Ti W、TiW、Mo、Pt或者其組合物的焊盤阻擋層。