[發明專利]發光二極管及其制造方法以及制造發光二極管模塊的方法

有效

• 申請號: 201710165974.9
• 申請日: 2013-06-14
• 公開（公告）號: CN107134519B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 蔡鐘炫;張鐘敏;盧元英;徐大雄;姜珉佑;李俊燮;金賢兒
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/46;H01L33/38;H01L33/44
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

提供一種其中通過保護絕緣層限定的構造成包圍反射金屬層的導電阻擋層的發光二極管(LED)及其制造方法。包括反射金屬層和導電阻擋層的反射圖案形成在其中形成有第一半導體層、活性層和第二半導體層的發光結構上。在形成工藝過程中，導電阻擋層防止反射金屬層的擴散，并且延伸至凹進到具有外伸結構的光刻膠圖案下方的保護絕緣層。由此防止導電阻擋層與具有外伸結構的光刻膠圖案的側壁形成接觸以及反射金屬層形成尖端的現象。由此可以制造出具有各種不同形狀的LED模塊。

本申請是申請日為2013年6月14日、申請號為201380034938.9、題為“用于表面貼裝技術的發光二極管及其制造方法以及制造發光二極管模塊的方法”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及發光二極管(LED)，更具體地涉及用于表面貼裝的LED。

背景技術

發光二極管(LED)是一種包括n型半導體層、p型半導體層、以及置于n型和p型半導體層之間的活性層的設備。當正向電場被施加到n型和p型半導體層上時，電子和空穴會被注入到活性層，并且在活性層中重新結合從而發光。

此外，根據芯片類型，LED可以包括反射層。也就是說，倒裝芯片型的特點是通過基底發光。相應地，在將半導體層形成于基底上之后，將由金屬形成的反射層引入到半導體層或者電流擴散層上，并且光被反射層反射。此外還在反射層上提供阻擋層。阻擋層被用于阻止形成反射層的金屬的擴散。

圖1和圖2為包括反射層和阻擋層的常規LED的橫截面圖。

參見圖1，在基底10上形成有第一半導體層20、活性層30、第二半導體層40、反射層50和阻擋層60。

基底10通常由藍寶石材料形成，且第一半導體層20為n型。在第一半導體層20上形成活性層30，其具有典型的多量子阱(MQW)結構。同樣，在活性層30上形成p型的第二半導體層40。

對具有上述結構的LED進行臺面蝕刻以暴露第一半導體層20的頂部表面。在經臺面蝕刻處理而暴露的第一半導體層20的頂部表面上還形成具有外伸結構的光刻膠圖案70。

第二半導體層40被暴露在其中光刻膠圖案70彼此間隔開的空間中，反射層50形成于第二半導體層40的暴露表面上。利用諸如濺射工藝這樣的典型工藝，通過其中光刻膠圖案70彼此間隔開的空間在第二半導體層40的表面上形成反射層50。此外，可以額外地在反射層50的下方形成電阻接觸層。電阻接觸層的形成材料可以由選擇的以在反射層50和第二半導體層40之間形成電阻接觸的材料形成。

此后，形成阻擋層60以包圍反射層50的頂部和側向表面。阻擋層60可以利用濺射工藝來形成。阻擋層60起到阻止形成反射層50的金屬原子擴散的作用，并且由導電金屬形成。由于阻擋層60因濺射工藝而具有預定的擴散系數或者各向同性的擴散系數，因此阻擋層60包圍反射層50的頂部和側向表面，并且還形成在第二半導體層40的暴露表面上。阻擋層60還堆積在具有外伸結構的光刻膠圖案70的邊緣部上。阻擋層60被粘附在光刻膠圖案70的側壁上，并且以尖銳的形狀沉積在光刻膠圖案70的邊緣部上。

參見圖2，圖1中公開的光刻膠圖案被去除以執行后續工藝。通過去除光刻膠圖案，具有尖銳形狀的阻擋層60的尖端80被暴露出來。在后續工藝中，阻擋層60的被暴露的尖端80形成細微顆粒。金屬顆粒增大了后續工藝過程中的污染，并且降低產量。

因此，需要一種在阻擋層60形成過程中去除尖端80并且提高產量的技術。

發明內容

技術問題

本發明涉及一種發光二極管(LED)，其具有通過保護絕緣層限定的導電阻擋層。

本發明還涉及一種用于實現第一目標的制造LED的方法。

此外，本發明還涉及一種使用通過實現第一目標而提供的LED的LED模塊的制造方法。