[發(fā)明專利]曝光裝置、器件制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710164773.7
• 申請(qǐng)日: 2004-07-26
• 公開（公告）號(hào): CN106707699B
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬込伸貴;小林直行
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社尼康
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 李今子

本發(fā)明提供曝光裝置、器件制造方法。一種曝光裝置，透過液體對(duì)基板照射曝光用光以使該基板曝光，具備：投影光學(xué)系統(tǒng)，將像透過液體透影；可動(dòng)構(gòu)件，支承該基板并移動(dòng)；液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)，從該可動(dòng)構(gòu)件的上方透過供應(yīng)口對(duì)該投影光學(xué)系統(tǒng)下供應(yīng)液體；以及液體回收機(jī)構(gòu)，從該可動(dòng)構(gòu)件的上方透過吸引口將該供應(yīng)的液體與氣體一起回收；該液體回收機(jī)構(gòu)具有收容從該吸引口回收且與氣體分離的液體的槽、及檢測收容在該槽的液體的量的檢測器。

本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?01410333238.6、申請(qǐng)日為2004年7月26日、發(fā)明名稱為“曝光裝置、器件制造方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。其中，申請(qǐng)?zhí)枮?01410333238.6的申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?00480021856.1、申請(qǐng)日為2004年7月26日、發(fā)明名稱為“曝光裝置、器件制造方法、及曝光裝置的控制方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種通過投影光學(xué)系和液體對(duì)基板進(jìn)行曝光的曝光裝置、使用該曝光裝置的器件制造方法、及曝光裝置的控制方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件或液晶顯示器件通過將形成于掩模上的圖形轉(zhuǎn)印到感光性基板上的所謂的光刻方法制造。該光刻工序使用的曝光裝置具有支承掩模的掩模臺(tái)和支承基板的基板臺(tái)，一邊依次移動(dòng)掩模臺(tái)和基板臺(tái)，一邊通過投影光學(xué)系將掩模的圖形轉(zhuǎn)印到基板。近年來，為了應(yīng)對(duì)器件圖形的更進(jìn)一步的高集成化，希望獲得投影光學(xué)系的更高的析像度。使用的曝光波長越短、投影光學(xué)系的數(shù)值孔徑越大時(shí)，投影光學(xué)系的析像度越高。為此，曝光裝置使用的曝光波長逐年變短，投影光學(xué)系的數(shù)值孔徑也增大?，F(xiàn)在主流的曝光波長為KrF受激準(zhǔn)分子激光的248nm，但更短波長的ArF受激準(zhǔn)分子激光的193nm也正得到實(shí)用化。另外，當(dāng)進(jìn)行曝光時(shí)，與析像度同樣，焦深(DOF)也變得重要。析像度R和焦深δ分別用下式表示。

R＝k₁·λ/NA …(1)

δ＝±k₂·λ/NA² …(2)

其中，λ為曝光波長，NA為投影光學(xué)系的數(shù)值孔徑，k₁、k₂為過程系數(shù)。從(1)式、(2)式可知，當(dāng)為了提高析像度R而減小曝光波長λ、增大數(shù)值孔徑NA時(shí)，焦深δ變窄。

當(dāng)焦深δ變得過窄時(shí)，難以使基板表面與投影光學(xué)系的像面一致，存在曝光動(dòng)作時(shí)的余量不足的危險(xiǎn)。因此，作為實(shí)質(zhì)上減小曝光波長而且擴(kuò)大焦深的方法，例如提出有公開于國際公開第99/49504號(hào)公報(bào)的液浸法。該液浸法用水或有機(jī)溶劑等液體充滿投影光學(xué)系的下面與基板表面之間，形成液浸區(qū)域，利用液體中的曝光用光的波長為空氣中的1/n(n為液體的折射率，通常為1.2～1.6左右)這一點(diǎn)，提高析像度，同時(shí)，將焦深擴(kuò)大為約n倍。

可是，在液浸曝光裝置中，如曝光用的液體泄漏或浸入，則存在由該液體引起裝置·構(gòu)件的故障、漏電或生銹等問題的可能性。另外，不能良好地進(jìn)行曝光處理。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明就是鑒于這樣的情況而作出的，其目的在于提供一種在使用液浸法的場合也可良好地進(jìn)行曝光處理的曝光裝置、器件制造方法、及曝光裝置的控制方法。另外，可提供能夠減小曝光用的液體的泄漏或浸入產(chǎn)生的影響、良好地進(jìn)行曝光處理的曝光裝置、器件制造方法、及曝光裝置的控制方法。

為了解決上述問題，本發(fā)明采用與實(shí)施形式所示圖1～圖22對(duì)應(yīng)的以下構(gòu)成。但是，各部分采用的帶括弧的符號(hào)不過用于例示該部分，不限定各部分。

本發(fā)明的第1形式的曝光裝置(EX)通過液體(1)將曝光用光(EL)照射到基板(P)，對(duì)基板(P)進(jìn)行曝光；其中：具有投影光學(xué)系(PL)和液體供給機(jī)構(gòu)(10)；

該投影光學(xué)系(PL)將圖形像投影到基板(P)上；

該液體供給機(jī)構(gòu)(10)將液體(1)供給到投影光學(xué)系(PL)與基板(P)之間；