[發明專利]一種發光二極管的制備方法

有效

• 申請號: 201710160541.4
• 申請日: 2017-03-17
• 公開（公告）號: CN107123705B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 王世俊;邢振遠;李彤;董耀盡
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14;H01L33/22;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

本發明公開了一種發光二極管的制備方法，屬于光電子技術領域。該制備方法包括提供一襯底，在襯底上外延生長緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、N型電流擴展層、有源層、P型限制層、P型電流擴展層、P型歐姆接觸層，在P型歐姆接觸層上制作金屬反射層，將金屬反射層粘合到基板上，依次去除襯底、緩沖層和N型腐蝕停層，制作第一電極，去除部分N型歐姆接觸層，在N型電流擴展層上形成SiO₂層和Ag納米顆粒層，刻蝕SiO₂層和N型電流擴展層，進行粗化處理，可以在N型電流擴展層的表面刻蝕出納米柱結構，形成顆粒小，分布均勻且高度較高的表面，避免了粗化不均勻導致的發光二極管亮度不均勻的情況。

技術領域

本發明涉及光電子技術領域，特別涉及一種發光二極管的制備方法。

背景技術

發光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)作為光電子產業中極具影響力的新產品，具有體積小、使用壽命長、顏色豐富多彩、能耗低等特點，廣泛應用于照明、顯示屏、信號燈、背光源、玩具等領域。

為了提高發光二極管的出光率，在制作發光二極管的過程中，通常會對位于出光側的電流擴展層進行粗化處理，即通過化學腐蝕的方式使電流擴展層表面形成微觀的粗糙結構。電流擴展層在進行粗化處理后表面會呈顆粒狀，粗糙度增加，可以減少光在電流擴展層中的全反射，從而提高出光率，提高發光二極管的亮度。

電流擴展層中的Al組分的含量會影響到顆粒的大小，Al組分越高，粗化后形成的顆粒會越小，高度也低，但是Al組分過高會導致芯片出現漏電。為了避免出現芯片漏電，現有的電流擴展層中Al組分的含量都比較低，這就使得粗化后會出現顆粒過大、粗化不均勻等問題，從而導致發光二極管亮度不均勻。

發明內容

為了解決電流擴展層粗化不均勻導致的發光二極管亮度不均勻的問題，本發明實施例提供了一種發光二極管的制備方法。所述技術方案如下：

本發明實施例提供了一種發光二極管的制備方法，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、N型電流擴展層、N型限制層、有源層、P型限制層、P型電流擴展層和P型歐姆接觸層；

在所述P型歐姆接觸層上制作金屬反射層；

提供一基板；

將所述金屬反射層粘合到所述基板上；

依次去除所述襯底、所述緩沖層和所述N型腐蝕停層，以露出所述N型歐姆接觸層；

在所述N型歐姆接觸層上制作第一電極；

去除所述N型歐姆接觸層中未被所述第一電極覆蓋的部分，以露出所述N型電流擴展層；

在所述N型電流擴展層和所述第一電極上形成SiO₂層；

在所述SiO₂層上形成Ag納米顆粒層；

以所述Ag納米顆粒層作為遮擋，對所述SiO₂層進行刻蝕，且刻蝕深度不小于所述SiO₂層的厚度；

刻蝕所述N型電流擴展層，且刻蝕深度小于所述N型電流擴展層的厚度；

對所述N型電流擴展層進行粗化處理；

在所述基板的背向所述金屬反射層的一側面上制作第二電極。

優選地，所述SiO₂層的厚度大于所述N型歐姆接觸層和所述第一電極的厚度之和。

進一步地，所述在所述SiO₂層上形成Ag納米顆粒層，包括：