[發明專利]一種發光二極管的制備方法

有效

• 申請號: 201710160541.4
• 申請日: 2017-03-17
• 公開（公告）號: CN107123705B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 王世俊;邢振遠;李彤;董耀盡
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14;H01L33/22;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、N型電流擴展層、N型限制層、有源層、P型限制層、P型電流擴展層和P型歐姆接觸層；

在所述P型歐姆接觸層上制作金屬反射層；

提供一基板；

將所述金屬反射層粘合到所述基板上；

依次去除所述襯底、所述緩沖層和所述N型腐蝕停層，以露出所述N型歐姆接觸層；

在所述N型歐姆接觸層上制作第一電極；

去除所述N型歐姆接觸層中未被所述第一電極覆蓋的部分，以露出所述N型電流擴展層；

在所述N型電流擴展層和所述第一電極上形成SiO₂層；

在所述SiO₂層上形成Ag納米顆粒層；

以所述Ag納米顆粒層作為遮擋，對所述SiO₂層進行刻蝕，且刻蝕深度不小于所述SiO₂層的厚度；

刻蝕所述N型電流擴展層，且刻蝕深度小于所述N型電流擴展層的厚度；

對所述N型電流擴展層進行粗化處理，粗化深度為0.1～0.3μm；

在所述基板的背向所述金屬反射層的一側面上制作第二電極；

所述粗化處理為多次粗化，第一次粗化后的每次粗化時間逐漸縮短。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述SiO₂層的厚度大于所述N型歐姆接觸層和所述第一電極的厚度之和。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述SiO₂層上形成Ag納米顆粒層，包括：

在所述SiO₂層上形成Ag層；

對所述Ag層進行退火處理，以形成所述Ag納米顆粒層。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述對所述N型電流擴展層進行粗化處理之前，所述制備方法還包括：

去除殘留的所述SiO₂層和Ag納米顆粒層。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，采用氫氧化鉀溶液或氫氟酸溶液去除殘留的所述SiO₂層和Ag納米顆粒層。

6.根據權利要求1～5任一項所述的制備方法，其特征在于，采用氣體對所述SiO₂層進行反應離子刻蝕。

7.根據權利要求1～5任一項所述的制備方法，其特征在于，采用氣體對所述N型電流擴展層進行反應耦合等離子體刻蝕。

8.根據權利要求1～5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述SiO₂層的厚度為40～100nm。

9.根據權利要求1～5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述Ag層的厚度為10～30nm。

10.根據權利要求1～5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述N型電流擴展層的生長溫度為670～685℃。