[發明專利]具有ESD保護元件的半導體裝置有效
| 申請號： | 201710160085.3 | 申請日： | 2017-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN107204328B | 公開（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發明（設計）人： | 吉野英生 | 申請（專利權）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/60 | 分類號： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;鄧毅 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 esd 保護 元件 半導體 裝置 | ||
1.一種具有ESD保護元件的半導體裝置，其特征在于，
所述具有ESD保護元件的半導體裝置具有規定的動作電壓和內部電路區域內的元件，
所述ESD保護元件由設置于P阱或P型半導體襯底的N型MOS晶體管構成，
所述N型MOS晶體管的柵電極與所述P阱或所述P型半導體襯底連接，以成為作為所述P阱的電位的阱電位或作為所述P型半導體襯底的電位的地電位，
在所述N型MOS晶體管的漏有源區域內相鄰地配置有N型高濃度漏區域和P型漏區域，構成PN結，
所述P型漏區域在不與所述漏有源區域的W方向的兩側的端部相接的區域，從所述柵電極的緣設置至與所述柵電極對置配置的所述漏有源區域的另外的端部，其中所述W方向是所述漏有源區域的溝道寬度方向，
所述P型漏區域的電位是所述P阱或所述P型半導體襯底的電位，
所述ESD保護元件的耐壓是所述漏有源區域內的所述PN結的結耐壓。
2.一種具有ESD保護元件的半導體裝置，其特征在于，
所述具有ESD保護元件的半導體裝置具有規定的動作電壓和內部電路區域內的元件，
所述ESD保護元件由設置于P阱或P型半導體襯底的N型MOS晶體管構成，
所述N型MOS晶體管的柵電極與所述P阱或所述P型半導體襯底連接，以成為作為所述P阱的電位的阱電位或作為所述P型半導體襯底的電位的地電位，
在所述N型MOS晶體管的漏有源區域內相鄰地配置有N型高濃度漏區域和P型漏區域，構成PN結，
所述P型漏區域從所述漏有源區域的W方向的一方的端部延伸至另一方的端部且沿著所述柵電極的緣設置，其中所述W方向是所述漏有源區域的溝道寬度方向，
所述P型漏區域的電位是所述P阱或所述P型半導體襯底的電位，
所述ESD保護元件的耐壓是所述漏有源區域內的所述PN結的結耐壓。
3.一種具有ESD保護元件的半導體裝置，其特征在于，
所述具有ESD保護元件的半導體裝置具有規定的動作電壓和內部電路區域內的元件，
所述ESD保護元件由設置于P阱或P型半導體襯底的N型MOS晶體管構成，
所述N型MOS晶體管的柵電極與所述P阱或所述P型半導體襯底連接，以成為作為所述P阱的電位的阱電位或作為所述P型半導體襯底的電位的地電位，
在所述N型MOS晶體管的漏有源區域內相鄰地配置有N型高濃度漏區域和P型漏區域，構成PN結，
所述N型高濃度漏區域的周圍全被所述P型漏區域包圍，
所述P型漏區域的電位是所述P阱或所述P型半導體襯底的電位，
所述ESD保護元件的耐壓是所述漏有源區域內的所述PN結的結耐壓。
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