[發明專利]用于制造芯片復合結構的方法在審
| 申請號: | 201710156264.X | 申請日: | 2017-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN107204300A | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發明(設計)人: | A·海因里希;I·埃舍爾-珀佩爾;M·格魯貝爾;A·蒙丁;C·威爾 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司72002 | 代理人: | 郭毅 |
| 地址: | 德國瑙伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 芯片 復合 結構 方法 | ||
技術領域
本發明涉及芯片復合結構(Chipverbund)的制造,所述芯片復合結構可以應用在緊壓包裝單元(Press-Pack-Zelle)中。
背景技術
常規的緊壓包裝單元具有多個半導體芯片,所述多個半導體芯片松脫地擠壓在導電的壓力接觸件之間并且在此電接觸并且必要時并聯連接。然而,各個半導體芯片的處理是困難的并且因此值得期望的是,簡化該處理。
發明內容
本發明的一個方面涉及一種用于制造芯片復合結構的方法。在此,分別通過使導電的第一平衡片與半導體芯片的第一主電極材料鎖合地且導電地連接來制造兩個或更多個芯片組件。在所述芯片組件之間的自由空間中布置控制電極布線結構。在所述控制電極布線結構與各個芯片組件的半導體芯片的控制電極之間建立導電連接。借助介電填料使所述芯片組件材料鎖合地連接。
本發明提出一種用于制造芯片復合結構的方法,所述方法具有:分別通過使導電的第一平衡片與半導體芯片的第一主電極材料鎖合地且導電地連接來制造兩個或更多個芯片組件;在所述芯片組件之間的自由空間中布置控制電極布線結構;在所述控制電極布線結構與各個芯片組件的半導體芯片的控制電極之間建立導電連接;借助介電填料使所述芯片組件材料鎖合地連接。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,借助所述填料的第一部分使所述半導體芯片相互材料鎖合地連接,從而所述第一部分覆蓋所述控制電極;在所述第一部分中分別在所述控制電極的區域中產生開口,從而所述控制電極在所述相應的開口中暴露;以及借助所述控制電極布線結構使所述控制電極穿過所述開口地相互導電連接。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,借助導電粘接劑使所述控制電極布線結構與所述控制電極導電連接。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,為了所述開口,借助以下中的至少一個局部地除去所述第一部分:激光束;蝕刻劑。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,使所述控制電極直接在所述第一部分開口之后暴露;或者,在所述半導體芯片的每一個中,使其控制電極在所述控制電極的與所述半導體芯片的半導體本體背離的一側上與導電接觸件材料鎖合地以及導電地連接,其中,所述接觸件直接在所述第一部分開口之后暴露。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,所述第一部分是酰亞胺或模制材料。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,在借助所述控制電極布線結構使所述控制電極相互導電連接之后,將所述控制電極布線結構嵌入到所述填料的第二部分中并且在此由所述第二部分覆蓋所述控制電極布線結構。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,所述第二部分是模制材料。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,所述控制電極布線結構具有多個鍵合引線以及一個或多個鍵合支承點元件,其中,至少一個鍵合支承點元件布置在所述芯片組件之間的自由空間中;以及使所述控制電極中的每一個借助所述鍵合引線之一與一個鍵合支承點元件導電連接。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,所述控制電極布線結構具有第一鍵合引線、第二鍵合引線和鍵合支承點元件;所述第一鍵合引線、所述鍵合支承點元件和所述第二鍵合引線串聯電連接在所述控制電極中的第一控制電極與所述控制電極中的第二控制電極之間并且將所述控制電極中的第一和第二控制電極相互導電連接;使所述第一鍵合引線和所述第二鍵合引線分別直接鍵合到所述鍵合支承點元件上。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,使所述第一鍵合引線直接鍵合到所述控制電極中的所述第一控制電極上或者直接鍵合到第一接觸件上,所述第一接觸件布置在所述控制電極中的所述第一控制電極的與所屬的半導體本體背離的一側上并且與所述側導電連接;使所述第二鍵合引線直接鍵合到所述控制電極中的所述第二控制電極上或者直接鍵合到第二接觸件上,所述第二接觸件布置在所述控制電極中的所述第二控制電極的與所屬的半導體本體背離的一側上并且與所述側導電連接。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,在借助所述介電填料使所述半導體芯片相互材料鎖合地連接之前借助所述控制電極布線結構使所述控制電極電連接。
根據所述方法的一種有利的擴展方案,在通過所述介電填料使所述半導體芯片相互材料鎖合地連接之后借助所述控制電極布線結構使所述控制電極電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





