[發(fā)明專(zhuān)利]用于制造芯片復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710156264.X | 申請(qǐng)日: | 2017-03-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107204300A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | A·海因里希;I·埃舍爾-珀佩爾;M·格魯貝爾;A·蒙丁;C·威爾 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/60 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司72002 | 代理人: | 郭毅 |
| 地址: | 德國(guó)瑙伊*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制造 芯片 復(fù)合 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種用于制造芯片復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法,所述方法具有:
分別通過(guò)使導(dǎo)電的第一平衡片(21)與半導(dǎo)體芯片(1)的第一主電極(11)材料鎖合地且導(dǎo)電地連接來(lái)制造兩個(gè)或更多個(gè)芯片組件(2);
在所述芯片組件(2)之間的自由空間(211)中布置控制電極布線(xiàn)結(jié)構(gòu)(70);
在所述控制電極布線(xiàn)結(jié)構(gòu)(70)與各個(gè)芯片組件(2)的半導(dǎo)體芯片(1)的控制電極(13)之間建立導(dǎo)電連接;
借助介電填料(4)使所述芯片組件(2)材料鎖合地連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,
借助所述填料(4)的第一部分(4a)使所述半導(dǎo)體芯片(1)相互材料鎖合地連接,從而所述第一部分(4a)覆蓋所述控制電極(13);
在所述第一部分(4a)中分別在所述控制電極(13)的區(qū)域中產(chǎn)生開(kāi)口,從而所述控制電極(13)在所述相應(yīng)的開(kāi)口中暴露;以及
借助所述控制電極布線(xiàn)結(jié)構(gòu)(70)使所述控制電極(13)穿過(guò)所述開(kāi)口地相互導(dǎo)電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,借助導(dǎo)電粘接劑(75)使所述控制電極布線(xiàn)結(jié)構(gòu)(70)與所述控制電極(13)導(dǎo)電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法,其中,為了所述開(kāi)口,借助以下中的至少一個(gè)局部地除去所述第一部分(4a):激光束(401);蝕刻劑(402)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的方法,其中,
使所述控制電極(13)直接在所述第一部分(4a)開(kāi)口之后暴露;或者
在所述半導(dǎo)體芯片(1)的每一個(gè)中,使其控制電極(13)在所述控制電極的與所述半導(dǎo)體芯片(1)的半導(dǎo)體本體(10)背離的一側(cè)上與導(dǎo)電接觸件(23)材料鎖合地以及導(dǎo)電地連接,其中,所述接觸件(23)直接在所述第一部分(4a)開(kāi)口之后暴露。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的方法,其中,所述第一部分(4a)是酰亞胺或模制材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任一項(xiàng)所述的方法,其中,在借助所述控制電極布線(xiàn)結(jié)構(gòu)(70)使所述控制電極(13)相互導(dǎo)電連接之后,將所述控制電極布線(xiàn)結(jié)構(gòu)(70)嵌入到所述填料(4)的第二部分(4b)中并且在此由所述第二部分(4b)覆蓋所述控制電極布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項(xiàng)所述的方法,其中,所述第二部分(4b)是模制材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述控制電極布線(xiàn)結(jié)構(gòu)(70)具有多個(gè)鍵合引線(xiàn)(72)以及一個(gè)或多個(gè)鍵合支承點(diǎn)元件(76),其中,至少一個(gè)鍵合支承點(diǎn)元件(76)布置在所述芯片組件(2)之間的自由空間(211)中;以及使所述控制電極(13)中的每一個(gè)借助所述鍵合引線(xiàn)(72)之一與一個(gè)鍵合支承點(diǎn)元件(76)導(dǎo)電連接。
10.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中,
所述控制電極布線(xiàn)結(jié)構(gòu)(70)具有第一鍵合引線(xiàn)(72)、第二鍵合引線(xiàn)(72)和鍵合支承點(diǎn)元件(76);
所述第一鍵合引線(xiàn)(72)、所述鍵合支承點(diǎn)元件(76)和所述第二鍵合引線(xiàn)(72)串聯(lián)電連接在所述控制電極(13)中的第一控制電極與所述控制電極(13)中的第二控制電極之間并且將所述控制電極(13)中的第一和第二控制電極相互導(dǎo)電連接;
使所述第一鍵合引線(xiàn)(72)和所述第二鍵合引線(xiàn)(72)分別直接鍵合到所述鍵合支承點(diǎn)元件(76)上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,
使所述第一鍵合引線(xiàn)(72)直接鍵合到所述控制電極(13)中的所述第一控制電極上或者直接鍵合到第一接觸件(23)上,所述第一接觸件布置在所述控制電極(13)中的所述第一控制電極的與所屬的半導(dǎo)體本體(10)背離的一側(cè)上并且與所述側(cè)導(dǎo)電連接;
使所述第二鍵合引線(xiàn)(72)直接鍵合到所述控制電極(13)中的所述第二控制電極上或者直接鍵合到第二接觸件(23)上,所述第二接觸件布置在所述控制電極(13)中的所述第二控制電極的與所屬的半導(dǎo)體本體(10)背離的一側(cè)上并且與所述側(cè)導(dǎo)電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的方法,其中,在借助所述介電填料(4)使所述半導(dǎo)體芯片(1)相互材料鎖合地連接之前借助所述控制電極布線(xiàn)結(jié)構(gòu)(70)使所述控制電極(13)電連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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