[發明專利]薄膜晶體管及包括薄膜晶體管的顯示裝置

有效

• 申請號: 201710154049.6
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN107204373B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 村井淳人;佐藤栄一;三浦正范
• 申請（專利權）人: 株式會社日本有機雷特顯示器
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/32;G02F1/1362
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 曹正建;陳桂香

根據一個實施例，薄膜晶體管包括：氧化物半導體層(12)，其設置在絕緣基板(11)上方，并且包括位于源極區域(12a)與漏極區域(12b)之間的溝道區域(12c)；第一絕緣膜(13)，其設置在所述氧化物半導體層(12)上的與所述溝道區域(12c)相對應的區域中；柵電極(14)，其設置在所述第一絕緣膜(13)上；第一保護膜(15)，其作為包含金屬的絕緣膜設置在所述氧化物半導體層(12)、所述第一絕緣膜(13)和所述柵電極(14)上；第二保護膜(16)，其設置在所述第一保護膜(15)上；以及第三保護膜(17)，其作為含有金屬的絕緣膜設置在所述第二保護膜(16)上。根據實施例，可以穩定薄膜晶體管的特性，且可以提高可靠性。此外，可以促進制造工藝，從而提高產率。

技術領域

本文描述的實施例總體上涉及包括氧化物半導體層的薄膜晶體管以及包括該薄膜晶體管的顯示裝置。

背景技術

目前已經開發出包括氧化物半導體層的薄膜晶體管。這種薄膜晶體管例如在電視機、個人計算機、智能手機和平板計算機等的顯示器中被用作用于控制像素的開關元件。

在包括氧化物半導體層的薄膜晶體管中，如果半導體層與水分和氫接觸，則半導體層中的載流子密度變化。因此，薄膜晶體管的電特性劣化。另一方面，例如，當設置用于保護半導體層的保護膜以防止半導體層與水分和氫接觸時，薄膜晶體管的加工可能變得復雜。

發明內容

通常，根據一個實施例，顯示裝置包括：氧化物半導體層，其設置在絕緣基板上方，并且包括源極區域、漏極區域和位于所述源極區域與所述漏極區域之間的溝道區域；第一絕緣膜，其設置在所述氧化物半導體層上的與所述溝道區域相對應的區域中；柵電極，其設置在所述第一絕緣膜上；第一保護膜，其作為包含金屬的絕緣膜設置在所述氧化物半導體層、所述第一絕緣膜和所述柵電極上；第二保護膜，其設置在所述第一保護膜上；以及第三保護膜，其作為含有金屬的絕緣膜設置在所述第二保護膜上。

根據一個實施例，顯示裝置包括：柵電極，其設置在絕緣基板上方；第一絕緣膜，其設置在所述柵電極和所述絕緣基板上；氧化物半導體層，其設置在所述第一絕緣膜上；第二絕緣膜，其設置在所述氧化物半導體層上的與所述柵電極相對應的區域中；第一保護膜，其作為包含金屬的絕緣膜設置在所述氧化物半導體層和所述第二絕緣膜上；第二保護膜，其設置在所述第一保護膜上；以及第三保護膜，其作為含有金屬的絕緣膜設置在所述第二保護膜上。

根據一個實施例，薄膜晶體管包括：氧化物半導體層，其設置在絕緣基板上方；第一金屬氧化物層，其設置在所述氧化物半導體層上；無機絕緣層，其設置在所述第一金屬氧化物層上；第二金屬氧化物層，其設置在所述無機絕緣層上；層間絕緣膜，其設置在所述第二金屬氧化物層上；以及一對電極，它們設置在所述層間絕緣膜上，并且形成為穿過所述層間絕緣膜、所述第二金屬氧化物層、所述無機絕緣層和所述第一金屬氧化物層而與所述氧化物半導體層電連接，其中，所述第一金屬氧化物層與所述氧化物半導體層接觸，所述無機絕緣層與所述第一金屬氧化物層以及所述第二金屬氧化物層接觸，且所述一對電極與所述第一金屬氧化物層、所述無機絕緣層以及所述第二金屬氧化物層接觸。

根據實施例，可以穩定薄膜晶體管的特性，且可以提高可靠性。此外，可以促進制造工藝，從而提高產率。

附圖說明

圖1是示意性地示出根據第一實施例的薄膜晶體管的示例的截面。

圖2A是示出圖1所示的薄膜晶體管的制造方法的示例的截面。

圖2B是示出圖2A的制造步驟后面的制造步驟的截面。

圖2C是示出圖2B的制造步驟后面的制造步驟的截面。

圖3A是示出圖2C的制造步驟后面的制造步驟的截面。

圖3B是示出圖3A的制造步驟后面的制造步驟的截面。

圖3C是示出圖3B的制造步驟后面的制造步驟的截面。