[發(fā)明專利]薄膜晶體管及包括薄膜晶體管的顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710154049.6
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN107204373B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 村井淳人;佐藤栄一;三浦正范
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日本有機(jī)雷特顯示器
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/32;G02F1/1362
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 曹正建;陳桂香

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

氧化物半導(dǎo)體層，其設(shè)置在絕緣基板上方，并且包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域和位于所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域；

第一絕緣膜，其設(shè)置在所述氧化物半導(dǎo)體層上的與所述溝道區(qū)域相對應(yīng)的區(qū)域中；

柵電極，其設(shè)置在所述第一絕緣膜上；

第一保護(hù)膜，其作為包含金屬的絕緣膜設(shè)置在所述氧化物半導(dǎo)體層、所述第一絕緣膜和所述柵電極上；

第二保護(hù)膜，其設(shè)置在所述第一保護(hù)膜上；以及

第三保護(hù)膜，其作為含有金屬的絕緣膜設(shè)置在所述第二保護(hù)膜上，

層間絕緣膜，形成在所述第三保護(hù)膜上，

其中，所述第三保護(hù)膜比所述第一保護(hù)膜厚，

所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域上方的所述第三保護(hù)膜的上表面比所述柵電極上方的所述第三保護(hù)膜的上表面更靠近所述氧化物半導(dǎo)體層的上表面，

第一接觸孔形成在所述第一保護(hù)膜、所述第二保護(hù)膜、所述第三保護(hù)膜中，所述層間絕緣膜中形成有第二接觸孔，所述第二接觸孔的直徑大于所述第一接觸孔的直徑。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一保護(hù)膜和所述第三保護(hù)膜均由氧化鋁形成。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二保護(hù)膜由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者形成。

4.一種顯示裝置，其特征在于，包括：如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管。

5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，包括：有機(jī)電致發(fā)光元件。

6.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，包括：液晶層。

7.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

柵電極，其設(shè)置在絕緣基板上方；

第一絕緣膜，其設(shè)置在所述柵電極和所述絕緣基板上；

氧化物半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第一絕緣膜上，具有源極區(qū)域、漏極區(qū)域以及在所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域；

第二絕緣膜，其設(shè)置在所述氧化物半導(dǎo)體層上的與所述柵電極相對應(yīng)的區(qū)域中；

第一保護(hù)膜，其作為包含金屬的絕緣膜設(shè)置在所述氧化物半導(dǎo)體層和所述第二絕緣膜上；

第二保護(hù)膜，其設(shè)置在所述第一保護(hù)膜上；以及

第三保護(hù)膜，其作為含有金屬的絕緣膜設(shè)置在所述第二保護(hù)膜上，

層間絕緣膜，形成在所述第三保護(hù)膜上，其中

其中，所述第三保護(hù)膜比所述第一保護(hù)膜厚，

所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域上方的所述第三保護(hù)膜的上表面比所述柵電極上方的所述第三保護(hù)膜的上表面更靠近所述氧化物半導(dǎo)體層的上表面，

第一接觸孔形成在所述第一保護(hù)膜、所述第二保護(hù)膜、所述第三保護(hù)膜中，所述層間絕緣膜中形成有第二接觸孔，所述第二接觸孔的直徑大于所述第一接觸孔的直徑。

8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一保護(hù)膜和所述第三保護(hù)膜均由氧化鋁形成。

9.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二保護(hù)膜由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者形成。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括：如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管。

11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，包括：有機(jī)電致發(fā)光元件。

12.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，包括：液晶層。