[發明專利]半導體封裝及其制造方法

有效

• 申請號: 201710153204.2
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN108335987B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 林柏均;朱金龍
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

本申請公開一種半導體封裝及其制造方法，其中半導體封裝包含一半導體元件，該半導體元件具有一上表面與一側，其中該上表面與該側形成該半導體元件的一角部。該半導體封裝亦包含一橫向凸塊結構位于該側上并且實現該半導體元件的一橫向信號路徑。該半導體封裝另包含一垂直凸塊結構位于該上表面上并且實現該半導體元件的一垂直信號路徑。

技術領域

本公開涉及一種半導體封裝及其制造方法，特別關于一種具有在兩個橫向相鄰元件之間實現橫向信號路徑的橫向凸塊結構的半導體封裝及其制造方法。

背景技術

半導體元件對于許多現代應用而言是重要的。隨著電子技術的進展，半導體元件的尺寸越來越小，而功能越來越大且整合的電路量越來越多。由于半導體元件的尺度微小化，芯片上覆置芯片(chip-on-chip)技術目前廣泛用于制造半導體元件。在此半導體封裝的生產中，實施了許多制造步驟。

因此，微型化規模的半導體元件的制造變得越來越復雜。制造半導體元件的復雜度增加可能造成缺陷，例如電互連不良、產生裂紋、或是組件脫層。據此，半導體元件的結構與制造的修飾有許多挑戰。

上文的”現有技術”說明僅是提供背景技術，并未承認上文的”現有技術”說明公開本公開的標的，不構成本公開的現有技術，且上文的”現有技術”的任何說明均不應作為本公開的任一部分。

發明內容

本公開的實施例提供一種半導體封裝，包括具有一上表面與一側的一半導體元件，其中該上表面與該側形成該半導體元件的一角部；以及一橫向凸塊結構，位于該側上且實現該半導體元件的一橫向信號路徑。

在本公開的一些實施例中，該半導體封裝另包括一垂直凸塊結構，位于該上表面上且實現該半導體元件的一垂直信號路徑，其中該垂直凸塊結構與該橫向凸塊結構分離。

在本公開的一些實施例中，該橫向凸塊結構自該側橫向延伸。

在本公開的一些實施例中，該垂直凸塊結構自該上表面垂直延伸。

在本公開的一些實施例中，該半導體封裝另包括一接墊，位于該側與該橫向凸塊結構之間。

本公開的另一實施提供一種半導體封裝，包括：一第一半導體元件，具有一第一上表面與一第一側，其中該第一上表面與該第一側形成該第一半導體元件的一第一角部；一第二半導體元件，橫向相鄰于該第一半導體元件，其中該第二半導體元件包括一第二上表面與一第二側，并且該第二上表面與該第二側形成該第二半導體元件的一第二角部；以及一橫向凸塊結構，自該第一側延伸至該第二側并且于該第一半導體元件與該第二半導體元件的間實現一橫向信號路徑。

在本公開的一些實施例中，該半導體封裝另包括：一封裝件，環繞該第一半導體元件與該第二半導體元件，其中該封裝件的一中間部位于該第一半導體元件與該第二半導體元件之間；其中該橫向凸塊結構橫向延伸跨過該中間部。

在本公開的一些實施例中，該半導體封裝另包括位于該第一上表面上的一第一凸塊結構，其中該第一垂直凸塊結構與該橫向凸塊結構分離。

在本公開的一些實施例中，該半導體封裝另包括位于該第二上表面上的一第二凸塊結構，其中該第二垂直凸塊結構與該橫向凸塊結構分離。

在本公開的一些實施例中，該橫向凸塊結構垂直延伸跨過該第一上表面與該第二上表面。

在本公開的一些實施例中，該半導體封裝另包括一接墊，位于該第一側與該橫向凸塊結構之間。

本公開的另一實施提供一種半導體封裝的制造方法，包括：提供一半導體元件，具有一本體區以及與該本體區相鄰的一邊緣區；在該邊緣區中形成一凹部，其中該凹部暴露該本體區的一側；以及在該凹部中形成一橫向凸塊結構，其中該橫向凸塊結構形成于該側上并且實現該半導體元件的一橫向信號路徑。