[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710153204.2
• 申請(qǐng)日: 2017-03-15
• 公開（公告）號(hào): CN108335987B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林柏均;朱金龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

一半導(dǎo)體元件，具有一上表面與一側(cè)，其中該上表面與該側(cè)形成該半導(dǎo)體元件的一角部；

一橫向凸塊結(jié)構(gòu)，位于該側(cè)上并且實(shí)現(xiàn)該半導(dǎo)體元件的一橫向信號(hào)路徑，該橫向凸塊結(jié)構(gòu)沿著一第一延伸方向自該側(cè)延伸；以及

一垂直凸塊結(jié)構(gòu)，位于該上表面上，該垂直凸塊結(jié)構(gòu)沿著一第二延伸方向自該上表面延伸，

該第一延伸方向與該第二延伸方向垂直，

所述半導(dǎo)體封裝另包括一接墊，位于該側(cè)與該橫向凸塊結(jié)構(gòu)之間，該橫向凸塊結(jié)構(gòu)位于該接墊上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述垂直凸塊結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)該半導(dǎo)體元件的一垂直信號(hào)路徑，其中該垂直凸塊結(jié)構(gòu)與該橫向凸塊結(jié)構(gòu)分離。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該橫向凸塊結(jié)構(gòu)自該側(cè)橫向延伸。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該垂直凸塊結(jié)構(gòu)自該上表面垂直延伸。

5.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

一第一半導(dǎo)體元件，具有一第一上表面與一第一側(cè)，其中該第一上表面與該第一側(cè)形成該第一半導(dǎo)體元件的一第一角部；

一第二半導(dǎo)體元件，橫向相鄰于該第一半導(dǎo)體元件，其中該第二半導(dǎo)體元件包括一第二上表面與一第二側(cè)，并且該第二上表面與該第二側(cè)形成該第二半導(dǎo)體元件的一第二角部；

一橫向凸塊結(jié)構(gòu)，自該第一側(cè)延伸至該第二側(cè)并且于該第一半導(dǎo)體元件與該第二半導(dǎo)體元件之間實(shí)現(xiàn)一橫向信號(hào)路徑，該橫向凸塊結(jié)構(gòu)沿著一第一延伸方向延伸；

一第一垂直凸塊結(jié)構(gòu)，位于該第一上表面上，該第一垂直凸塊結(jié)構(gòu)沿著一第二延伸方向自該第一上表面延伸，

一第二垂直凸塊結(jié)構(gòu)，位于該第二上表面上，該第二垂直凸塊結(jié)構(gòu)沿著所述第二延伸方向自該第二上表面延伸，

該第一延伸方向與該第二延伸方向垂直，

所述半導(dǎo)體封裝另包括一接墊，位于該第一側(cè)與該橫向凸塊結(jié)構(gòu)之間，該橫向凸塊結(jié)構(gòu)位于該接墊上。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，另包括：

一封裝件，環(huán)繞該第一半導(dǎo)體元件與該第二半導(dǎo)體元件，其中該封裝件的一中間部位于該第一半導(dǎo)體元件與該第二半導(dǎo)體元件之間；

其中該橫向凸塊結(jié)構(gòu)橫向延伸跨過(guò)該中間部。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一垂直凸塊結(jié)構(gòu)與該橫向凸塊結(jié)構(gòu)分離。

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第二垂直凸塊結(jié)構(gòu)與該橫向凸塊結(jié)構(gòu)分離。

9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中該橫向凸塊結(jié)構(gòu)垂直延伸跨過(guò)該第一上表面與該第二上表面。

10.一種半導(dǎo)體封裝的制造方法，包括：

提供一半導(dǎo)體元件，具有一本體區(qū)以及與該本體區(qū)相鄰的一邊緣區(qū)；

形成一凹部于該邊緣區(qū)中，其中該凹部暴露該本體區(qū)的一側(cè)；

形成一橫向凸塊結(jié)構(gòu)于該凹部中，其中該橫向凸塊結(jié)構(gòu)形成于該側(cè)上并且實(shí)現(xiàn)該半導(dǎo)體元件的一橫向信號(hào)路徑，該橫向凸塊結(jié)構(gòu)沿著一第一延伸方向自該側(cè)延伸；以及

形成一垂直凸塊結(jié)構(gòu)于該半導(dǎo)體元件的一上表面上，該垂直凸塊結(jié)構(gòu)沿著一第二延伸方向自該上表面延伸，

該第一延伸方向與該第二延伸方向垂直，

在該側(cè)與該橫向凸塊結(jié)構(gòu)之間形成一接墊，該橫向凸塊結(jié)構(gòu)位于該接墊上。

11.如權(quán)利要求10所述的制造方法，包括：

形成一遮罩于該半導(dǎo)體元件的一上表面上，其中該遮罩具有一開孔，暴露該邊緣區(qū)的一部分；以及

進(jìn)行一蝕刻制程，以移除該開孔暴露的該邊緣區(qū)的一部分，形成該凹部。

12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，另包括：

形成一凸塊材料于該凹部中；

移除該遮罩；以及

進(jìn)行一熱制程，以形成該橫向凸塊結(jié)構(gòu)。