[發明專利]柔性內嵌式觸控結構及其制作方法有效
| 申請號: | 201710151467.X | 申請日: | 2017-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN106887450B | 公開(公告)日: | 2019-09-24 |
| 發明(設計)人: | 蘇偉盛 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;G06F3/044 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 內嵌式觸控 結構 及其 制作方法 | ||
本發明提供一種柔性內嵌式觸控結構及其制作方法。本發明的柔性內嵌式觸控結構,包括TFT基板、平坦層、OLED觸控層、以及封裝層;所述OLED觸控層包括陽極層、像素定義層、發光層、以及陰極層;所述陽極層包括數個陽極單元、及數個觸控連接線,所述數個觸控連接線對應位于所述像素定義層下方;所述陰極層包括數個觸控電極,所述數個觸控電極分別通過像素定義層上的數個過孔與所述觸控連接線相連接,從而構成觸控傳感器結構;本發明通過將觸控傳感器整合進柔性面板當中,能夠有效減少面板內貼合次數,減薄面板的整體厚度,增加面板的彎折性,從而提升良率,相對于現有柔性OLED面板,只需改變陰極層及陽極層的圖形設計,制作方法簡單。
技術領域
本發明涉及觸控顯示技術領域,尤其涉及一種柔性內嵌式觸控結構及其制作方法。
背景技術
隨著顯示技術的快速發展,觸控屏已經普及到人們的日常生活中,舉例而言,透過觸控屏使用者可直接以手指或觸控筆在屏幕上操作程式、輸入訊息/文字/圖樣,省去使用鍵盤或按鍵等輸入裝置的麻煩。實際上,觸控屏通常由一感應面板及設置于感應面板后方的顯示器組成。電子裝置根據使用者在感應面板上所觸碰的位置,以及當時顯示器所呈現的畫面,來判斷該次觸碰的意涵,并執行相對應的操作結果。
目前被廣泛應用的電容式觸控技術主要有跨橋式電容式觸控技術和自容式觸控技術。其中,自容式觸控屏由制程較單純的單層自電容的觸控電極結構實現,自容式觸控屏中,觸控電極大多采用正方形(Block Pattern)設計,為了將觸控電極與觸控偵測芯片連接,會設置與觸控電極對應連接的觸控信號線,從而將觸控信號傳遞給觸控偵測芯片;且為了減小各觸控電極之間的電阻差及電容差以保證觸控精度,會設置與觸控電極對應連接的虛擬觸控信號線。而跨橋式電容式觸控結構,用以形成觸控功能的透明導電層也只有一層,而觸控電極大多采用菱形設計,常規的跨橋式電容式觸控結構,如圖1所示,圖中省略基板等結構,以清楚表達橋點結構,觸控電極層中設有多列菱形的第一觸控電極57、及多行設于第一觸控電極57間的菱形的第二觸控電極55,每一列第一觸控電極57中相鄰第一觸控電極57則通過同層的第一連接部56相連,為使電信號傳出,需將如一行的第二觸控電極55串接,于此,需構造跨越第一連接部56的橋體59以連接相鄰的第二觸控電極55,即形成搭橋結構,另外于搭橋結構的橋點形成電容,需構造絕緣介質,如圖1中所示的絕緣層52,以隔離第一連接部56與橋體59。
近年來柔性顯示器也開始進入市場,但目前的柔性觸控產品有以下的缺點:1、僅為一固定形狀,無法任意彎折;2、觸控功能需要另外貼合觸控傳感器薄膜,工藝上困難度大幅增加;3、觸控傳感器的電極材料仍為氧化銦錫(ITO),彎折性不足。參見圖2,其為現有柔性觸控結構的示意圖,包括:主要由依次層疊的TFT基板1、發光層2及封裝層3形成的柔性面板,柔性面板的封裝層3上方設置的光學膠層4,光學膠層4上方貼合的觸控傳感器層5。現有柔性觸控結構中,傳統全貼合技術會需要許多膠材,多次彎折后會產生剝離(peeling)的狀況,造成面板失效。
發明內容
本發明的目的在于提供一種柔性內嵌式觸控結構,將觸控傳感器整合進柔性面板當中,能夠有效減薄面板的整體厚度,增加面板的彎折性,且制作方法簡單。
本發明的目的還在于提供一種柔性內嵌式觸控結構的制作方法,將觸控傳感器整合進柔性面板當中,能夠有效減薄面板的整體厚度,增加面板的彎折性,且制作方法簡單。
為實現上述目的,本發明提供一種柔性內嵌式觸控結構,包括:TFT基板、設于TFT基板上平坦層、設于TFT基板及平坦層上的OLED觸控層、以及設于OLED觸控層上的封裝層;
所述OLED觸控層包括:設于所述TFT基板上的陽極層、設于所述平坦層及陽極層上的像素定義層、設于陽極層上的發光層、以及設于像素定義層及發光層上的陰極層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





