[發明專利]柔性內嵌式觸控結構及其制作方法有效
| 申請號: | 201710151467.X | 申請日: | 2017-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN106887450B | 公開(公告)日: | 2019-09-24 |
| 發明(設計)人: | 蘇偉盛 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;G06F3/044 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 內嵌式觸控 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種柔性內嵌式觸控結構,其特征在于,包括:TFT基板(10)、設于TFT基板(10)上平坦層(40)、設于TFT基板(10)及平坦層(40)上的OLED觸控層(20)、以及設于OLED觸控層(20)上的封裝層(30);
所述OLED觸控層(20)包括:設于所述TFT基板(10)上的陽極層(21)、設于所述平坦層(40)及陽極層(21)上的像素定義層(22)、設于陽極層(21)上的發光層(23)、以及設于像素定義層(22)及發光層(23)上的陰極層(24);
所述像素定義層(22)在陽極層(21)上圍出數個陣列排布的像素開口(225),所述陽極層(21)包括與所述像素開口(225)對應設置的數個陽極單元(211)、及位于所述像素定義層(22)下方與陽極單元(211)間隔的數個觸控連接線(212),所述發光層(23)設于所述像素開口(225)內;
所述像素定義層(22)在所述觸控連接線(212)上方設有數個過孔(221);所述陰極層(24)包括數個觸控電極(241),所述數個觸控電極(241)分別通過所述數個過孔(221)與所述觸控連接線(212)相連接,從而構成觸控傳感器結構(25);
所述陰極層(24)覆蓋所述數個像素開口(225),每一像素開口(225)內的發光層(23)、其下方對應的陽極單元(211)、及其上方對應的陰極層(24)共同構成一OLED單元結構(D);
所述觸控傳感器結構(25)為跨橋式電容式觸控傳感器結構,所述數個觸控電極(241)包括數個第一觸控電極部(2411)、位于所述數個第一觸控電極部(2411)之間的數個第二觸控電極部(2412)、及用于將相鄰兩第一觸控電極部(2411)電連接的數個連接部(2413);
所述觸控連接線(212)用作跨橋式電容式觸控傳感器結構中的橋體,用于將相鄰兩第二觸控電極部(2412)電連接;
所述數個觸控電極(241)覆蓋所述數個像素開口(225)中的一部分,所述陰極層(24)還包括位于數個觸控電極(241)之間的數個補充電極(242),所述數個補充電極(242)覆蓋所述數個像素開口(225)中剩余的一部分;
所述第一觸控電極部(2411)及第二觸控電極部(2412)均為菱形。
2.如權利要求1所述的柔性內嵌式觸控結構,其特征在于,所述觸控傳感器結構(25)為自容式觸控傳感器結構,所述觸控連接線(212)用作自容式觸控傳感器結構中的信號線。
3.如權利要求2所述的柔性內嵌式觸控結構,其特征在于,所述數個觸控電極(241)均為長方形,所述數個觸控電極(241)覆蓋所述數個像素開口(225)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





