[發明專利]陣列基板、顯示裝置、薄膜晶體管及膜層圖形的制備方法

有效

• 申請號: 201710150017.9
• 申請日: 2017-03-14
• 公開（公告）號: CN106876254B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 劉清召;王珂;王久石;曹占鋒
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/44;H01L21/34;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 林桐苒;李丹

一種膜層圖形的制備方法、薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，包括：在襯底上形成光刻膠層；對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；形成第一膜層，第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；去除光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。本發明實施例降低了膜層的吸附和和沉積，提升了膜層的生成良率。

技術領域

本文涉及但不限于顯示技術，尤指一種陣列基板、顯示裝置、薄膜晶體管、膜層圖形的制備方法。

背景技術

剝離(Lift Off)工藝是一種有別于傳統刻蝕工藝，可在納米至厘米尺度范圍形成微觀結構圖形的技術。Lift Off工藝主要用在所需沉積的兩層薄膜刻蝕選擇比較低、以及刻蝕過程會損傷下方膜層的情況。圖1(a)為相關技術中剝離工藝第一示意圖，如圖1(a)所示，首先利用曝光技術在基底1上形成用于刻蝕操作的光刻(PR)膠圖案2，將薄膜3沉積在PR膠上。圖1(b)為相關技術中剝離工藝的第二示意圖，如圖1(b)所示，當剝離PR膠時，PR膠被溶解，PR膠上的薄膜層隨之被除去。而沒有PR膠的地方，沉積的薄膜留了下來，圖案得以形成。

PR膠被溶解后，PR膠上薄膜層在移動過程中被打散為細小的顆粒，這些顆粒就像雜質粒子(particle)一樣，易吸附在形成的圖案上，剝離過程不易除去，最終影響膜層的良率。另外，部分PR的側壁上也會沉積一定的薄膜，當需要除去的薄膜被處理完成時，側壁上的薄膜還可能殘留在側壁上，也將影響膜層的良率。

發明內容

以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。

本發明實施例提供一種陣列基板、顯示裝置、薄膜晶體管及膜層圖形的制備方法，能夠避免薄膜的吸附和沉積，提升生成膜層的良率。

本發明實施例提供了一種膜層圖形的制備方法，包括：

在襯底上形成光刻膠層；

對所述光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；

形成第一膜層，所述第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；

在所述第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；

去除所述光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的所述第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。

可選的，所述形成粘附層具體包括：

在所述第一膜層上形成粘附層薄膜，進行曝光顯影，以形成所述粘附層。

可選的，所述光刻膠層為負性光刻膠。

可選的，所述光刻膠圖形在垂直于所述襯底方向的截面為兩個或兩個以上倒梯形結構。

可選的，所述粘附層材料包括有機樹脂膠。

另一方面，本發明實施例還提供一種薄膜晶體管，包括：采用上述制備方法制備。

可選的，所述第一膜層為：柵極層或源漏極層。

再一方面，本發明實施例還提供一種陣列基板，包括采用上述薄膜晶體管。

還一方面，本發明實施例還提供一種顯示裝置，包括采用上述陣列基板。

與相關技術相比，本申請技術方案包括：在襯底上形成光刻膠層；對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；形成第一膜層，第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；去除光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。本發明實施例降低了膜層的吸附和和沉積，提升了膜層的生成良率。