[發(fā)明專利]陣列基板、顯示裝置、薄膜晶體管及膜層圖形的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710150017.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106876254B | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉清召;王珂;王久石;曹占鋒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/027 | 分類號(hào): | H01L21/027;H01L21/44;H01L21/34;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 林桐苒;李丹 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 顯示裝置 薄膜晶體管 圖形 制備 方法 | ||
1.一種膜層圖形的制備方法,包括:
在襯底上形成光刻膠層;
對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影,形成光刻膠圖形;
形成第一膜層,所述第一膜層包括設(shè)置在光刻膠圖形上面的第一部分和設(shè)置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分;
在所述第一膜層的第一部分上面,形成粘附層;
去除所述光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的所述第一膜層的第一部分,以形成第一膜層圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述形成粘附層具體包括:
在所述第一膜層上形成粘附層薄膜,進(jìn)行曝光顯影,以形成所述粘附層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述光刻膠層為負(fù)性光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述光刻膠圖形在垂直于所述襯底方向的截面為兩個(gè)或兩個(gè)以上倒梯形結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述粘附層材料包括有機(jī)樹脂膠。
6.一種薄膜晶體管,其特征在于,采用權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)制備方法制備。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管,其特征在于,所述第一膜層為:柵極層或源漏極層。
8.一種陣列基板,其特征在于,包括權(quán)利要求6或7所述的薄膜晶體管。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求8所述的陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





