[發明專利]一種基于浮空阱觸發的低觸發電壓SCR結構

有效

• 申請號: 201710149961.2
• 申請日: 2017-03-14
• 公開（公告）號: CN107017248B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 劉繼芝;錢玲莉;劉志偉
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/60;H01L29/06
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 甘茂

1.一種基于浮空阱觸發的低觸發電壓SCR結構，包括：

第一種導電類型硅襯底；

第一種導電類型硅襯底上形成的第二種導電類型深阱區；

第二種導電類型深阱區上形成的相鄰接的第二種導電類型阱區和第一種導電類型阱區，所述第二種導電類型阱區內設有與陽極相連的一個第二種導電類型重摻雜區和一個第一種導電類型重摻雜區，所述第一種導電類型阱區內設有與陰極相連的一個第二種導電類型重摻雜區和一個第一種導電類型重摻雜區，所述第二種導電類型阱區和第一種導電類型阱區之間跨接一個第一種導電類型重摻雜區，所述跨接的第一種導電類型重摻雜區和第二種導電類型阱區內第一種導電類型重摻雜區之間的硅表面上設有一個柵氧化層區、且柵氧化層區上覆蓋有多晶硅；

其特征在于，所述第二種導電類型深阱區上形成有另一個第一種導電類型阱區，所述另一個第一種導電類型阱區鄰接于所述第二種導電類型阱區的另一側，該第一種導電類型阱區中設有一個第一種導電類型重摻雜區，且該第一種導電類型重摻雜區通過金屬層與所述多晶硅相連。

2.按權利要求1所述基于浮空阱觸發的低觸發電壓SCR結構，其特征在于，所述SCR結構中，所述第二種導電類型阱區、第一種導電類型阱區、以及阱區內的第一種導電類型重摻雜區與第二種導電類型重摻雜區的版圖均呈條狀分布，所述柵氧化層區的版圖呈條狀分布或者按比例分割分布。