[發明專利]反應腔室及半導體加工設備

有效

• 申請號: 201710149543.3
• 申請日: 2017-03-14
• 公開（公告）號: CN108573847B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 佘清
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種反應腔室，包括介質窗、環繞在所述介質窗內側的法拉第屏蔽件和絕緣環、環繞在所述介質窗外側的射頻線圈，所述絕緣環設置在所述法拉第屏蔽件的底部，用以支撐所述法拉第屏蔽件，其特征在于，所述射頻線圈包括線圈本體，所述線圈本體沿所述介質窗的軸向呈螺旋狀纏繞，且在所述線圈本體中設置有冷卻通道，所述冷卻通道沿所述線圈本體的纏繞方向延伸；

通過向所述冷卻通道內通入冷卻媒介，來冷卻所述介質窗，從而間接冷卻所述法拉第屏蔽件；其中，

所述線圈本體與所述介質窗的外周壁相貼合；

在所述絕緣環的支撐面設置有凹部，且在所述法拉第屏蔽環的被支撐面設置有凸部，所述凸部位于所述凹部內，其中，

所述凹部包括朝外方向的第一側面，所述凸部包括朝內方向的第二側面，所述第一側面和第二側面相貼合；

所述凹部被設置為使所述凸部在受熱膨脹時不受所述凹部的限制。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，在所述線圈本體與所述介質窗的外周壁之間設置有可提高熱傳導效率的導熱層。

3.根據權利要求1-2任意一項所述的反應腔室，其特征在于，所述介質窗的內周壁與所述法拉第屏蔽件的外周壁相貼合。

4.根據權利要求1-2任意一項所述的反應腔室，其特征在于，所述介質窗采用氮化鋁陶瓷制作。

5.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述凹部為在所述絕緣環的支撐面的邊沿形成的臺階。

6.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，在所述法拉第屏蔽環的被支撐面還設置有環形延伸部，所述環形延伸部豎直向下延伸至所述絕緣環的環孔中；并且，在所述環形延伸部的外周面與所述絕緣環的內環面之間具有間隙，并且所述間隙在水平方向上的寬度滿足使所述環形延伸部在受熱膨脹時不受所述絕緣環的限制。

7.一種半導體加工設備，其特征在于，包括權利要求1-6任意一項所述的反應腔室。