[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201710148354.4 | 申請日: | 2017-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN107302007B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發明(設計)人: | 李俊雨;姜信文;金炳箕;金熙京;孫泫撤;鄭胤謨;崔宰凡 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括包含柔性區域和低柔性區域的顯示面板,其中,柔性區域可以包括包含第一半導體層和第一柵電極的第一晶體管,第一半導體連接到第一半導體層,第一層間絕緣層位于第一晶體管與第一導體之間。低柔性區域可以包括包含第二半導體層和第二柵電極的第二晶體管,第二導體連接到第二半導體層,第二層間絕緣層位于第二晶體管與第二導體之間。第一層間絕緣層可以包括有機絕緣材料,第二層間絕緣層包括無機絕緣材料,第一晶體管的溝道寬度與溝道長度的比可以不同于第二晶體管的溝道寬度與溝道長度的比。
本申請要求于2016年3月14日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0030279號韓國專利申請的優先權和權益,該申請的所有內容通過引用包含于此。
技術領域
本公開的示例實施例的一個或更多個方面涉及一種顯示裝置。例如,本公開的實施例的各方面涉及一種包括顯示面板的顯示裝置,該顯示面板的一部分可以折疊。
背景技術
顯示裝置(諸如液晶顯示器(LCD)和/或有機發光二極管(OLED)顯示器)包括包含顯示圖像的多個像素的顯示面板。每個像素包括可被提供有數據信號的像素電極,并且像素電極可以連接到傳輸數據信號的至少一個晶體管。
晶體管包括控制(例如,柵)電極、輸入(例如,源)電極、輸出(例如,漏)電極以及連接到輸入電極和輸出電極的半導體層。晶體管可以連接到將被提供有信號的多條信號線。多條信號線可以包括用于接收柵極信號的柵極線和用于接收數據電壓的數據線。
代替重且具有單一固定狀態(例如,形狀)的基底,最近已經開發了包括質輕且具有可改變(例如,經由彎折)的形狀的柔性基底的顯示裝置。柔性基底可以包括諸如聚酰亞胺的塑料材料。
包括柔性基底并具有至少一部分是可彎折或可折疊的柔性區域的顯示裝置可以被稱作柔性顯示裝置。顯示面板的部分可彎折的顯示裝置可以被稱作可彎折的顯示裝置。
提供該背景技術部分中公開的上述信息,僅用來增強對本公開的背景的理解,因此該上述信息可包含不形成對本領域普通技術人員而言在本國已知的現有技術的信息。
發明內容
本公開的一個或更多個示例實施例涉及在減小柔性顯示裝置的柔性區域的曲率半徑的同時防止或減少在柔性顯示裝置的柔性區域中產生缺陷(諸如裂紋),并同時提高顯示裝置的制造工藝的良率。另外,當根據本公開的實施例的柔性顯示裝置包括柔性區域以及比柔性區域的柔性低的低柔性區域時,柔性顯示裝置可以具有相對更大的曲率半徑和/或可以基本上不變形,并且可以減小柔性區域與低柔性區域之間的邊界附近的圖像亮度的變化。
本公開的一個或更多個示例實施例提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:顯示面板,包括柔性區域和具有比柔性區域的柔性低的柔性的低柔性區域,其中,柔性區域包括第一晶體管,第一晶體管包括第一半導體層和第一柵電極;第一導體,連接到第一半導體層;第一層間絕緣層,位于第一晶體管與第一導體之間。低柔性區域可以包括第二晶體管,第二晶體管包括第二半導體層和第二柵電極,第二導體連接到第二半導體層,并且第二層間絕緣層設置在第二晶體管與第二導體之間。第一層間絕緣層可以包括有機絕緣材料,第二層間絕緣層可以包括無機絕緣材料,第一晶體管的溝道寬度與溝道長度的比可以不同于第二晶體管的溝道寬度與溝道長度的比。
在一些實施例中,第一晶體管的溝道寬度與溝道長度的比可以大于第二晶體管的溝道寬度與溝道長度的比或比第二晶體管的溝道寬度與溝道長度的比大。
第一層間絕緣層的側表面可以在柔性區域與低柔性區域之間的邊界處接觸第二層間絕緣層的側表面。
第一層間絕緣層可以僅位于第一柵電極與第一導體之間,第二層間絕緣層可以僅位于第二柵電極與第二導體之間。
第一晶體管可以包括位于第一柵電極與第一半導體層之間的第一柵極絕緣層,第二晶體管可以包括位于第二柵電極與第二半導體層之間的第二柵極絕緣層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





