[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201710148354.4 | 申請日: | 2017-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN107302007B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發明(設計)人: | 李俊雨;姜信文;金炳箕;金熙京;孫泫撤;鄭胤謨;崔宰凡 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
顯示面板,包括柔性區域和具有比所述柔性區域的柔性低的柔性的低柔性區域,
所述柔性區域包括:
第一晶體管,包括第一半導體層和第一柵電極,
第一導體,連接到所述第一半導體層,以及
第一層間絕緣層,位于所述第一晶體管與所述第一導體之間;
所述低柔性區域包括:
第二晶體管,包括第二半導體層和第二柵電極,
第二導體,連接到所述第二半導體層,以及
第二層間絕緣層,位于所述第二晶體管與所述第二導體之間,
所述第一層間絕緣層包括有機絕緣材料,
所述第二層間絕緣層包括無機絕緣材料,
所述第一晶體管的溝道寬度與溝道長度的比大于所述第二晶體管的溝道寬度與溝道長度的比。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中:
所述第一層間絕緣層的側表面在所述柔性區域與所述低柔性區域之間的邊界處接觸所述第二層間絕緣層的側表面。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中:
所述第一層間絕緣層僅位于所述第一柵電極與所述第一導體之間,所述第二層間絕緣層僅位于所述第二柵電極與所述第二導體之間。
4.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中:
所述第一層間絕緣層與所述第二層間絕緣層之間的界面在所述柔性區域與所述低柔性區域之間的所述邊界處相對于所述第一層間絕緣層或所述第二層間絕緣層的上表面傾斜或偏斜。
5.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中:
所述柔性區域還包括位于所述第一層間絕緣層與所述第一晶體管之間的第一無機絕緣層。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其中:
所述第一無機絕緣層包括多個島狀區域,
每個島狀區域僅設置在與所述第一晶體管的位置對應的區域中。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中:
包括在所述第一無機絕緣層中的所述多個島狀區域的平面分布密度隨著至所述低柔性區域的接近度增加而增大。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中:
所述低柔性區域包括與所述柔性區域相鄰的多個有機島狀區域,
所述有機島狀區域包括:
第三晶體管,包括第三半導體層和第三柵電極,
第三導體,連接到所述第三半導體層,以及
第三層間絕緣層,位于所述第三晶體管與所述第三導體之間,
所述第三層間絕緣層包括有機絕緣材料。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中:
所述多個有機島狀區域的平面分布密度隨著至所述柔性區域的接近度減小而減小。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





