[發(fā)明專(zhuān)利]成膜裝置及成膜方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710148173.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107201503B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小野大祐 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 芝浦機(jī)械電子裝置株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/54 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/54;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址: | 日本神奈川縣橫*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 方法 | ||
1.一種成膜裝置,對(duì)工件使用等離子體進(jìn)行成膜,其特征在于,包括:
密閉容器,配置著包含成膜材料的靶材,內(nèi)部被搬入所述工件;
排氣裝置,在所述工件的搬入后,將所述密閉容器排氣規(guī)定時(shí)間;
濺鍍氣體導(dǎo)入部,對(duì)經(jīng)所述排氣的所述密閉容器的內(nèi)部,導(dǎo)入含氧的濺鍍氣體;
壓力計(jì),對(duì)基礎(chǔ)壓力進(jìn)行測(cè)量,所述基礎(chǔ)壓力為經(jīng)排氣所述規(guī)定時(shí)間后且導(dǎo)入所述濺鍍氣體之前的所述密閉容器內(nèi)的壓力;以及
控制裝置,控制所述濺鍍氣體導(dǎo)入部,
所述控制裝置包括存儲(chǔ)部以及氧分壓決定部,其中所述存儲(chǔ)部存儲(chǔ)最佳氧分壓的數(shù)據(jù),所述最佳氧分壓的數(shù)據(jù)為所述濺鍍氣體中的氧分壓的最佳值;所述氧分壓決定部獲取由所述壓力計(jì)測(cè)定出的所述基礎(chǔ)壓力,參照所述最佳氧分壓的數(shù)據(jù),而決定所述濺鍍氣體的氧分壓的值,
所述控制裝置根據(jù)所述基礎(chǔ)壓力的上升,以使所述氧分壓的值逐漸減少的方式,來(lái)控制所述濺鍍氣體導(dǎo)入部,其中所述基礎(chǔ)壓力的上升是隨著通過(guò)重復(fù)所述成膜使附著在所述密閉容器內(nèi)部的所述成膜材料增加而造成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,包括:
電源裝置,對(duì)所述靶材施加電壓;
所述控制裝置根據(jù)基于從所述電源裝置供給到所述靶材的電力的累計(jì)量而決定的所述基礎(chǔ)壓力,來(lái)決定所述濺鍍氣體導(dǎo)入部導(dǎo)入的所述濺鍍氣體的氧分壓的值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置,其特征在于,還包括警報(bào)生成部,所述警報(bào)生成部在所述基礎(chǔ)壓力超過(guò)6×10-3Pa時(shí)生成警報(bào)。
4.一種成膜方法,對(duì)工件使用等離子體進(jìn)行成膜,其特征在于:
向配置著包含成膜材料的靶材的密閉容器的內(nèi)部搬入所述工件;
在所述工件的搬入后,將所述密閉容器排氣規(guī)定時(shí)間;
對(duì)經(jīng)所述排氣的所述密閉容器的內(nèi)部導(dǎo)入含氧的濺鍍氣體,
其中通過(guò)壓力計(jì)測(cè)量基礎(chǔ)壓力,所述基礎(chǔ)壓力為經(jīng)排氣所述規(guī)定時(shí)間后且導(dǎo)入所述濺鍍氣體前的壓力;以及
控制裝置預(yù)先存儲(chǔ)最佳氧分壓的數(shù)據(jù),獲取由所述壓力計(jì)測(cè)定出的所述基礎(chǔ)壓力,參照所述最佳氧分壓的數(shù)據(jù),來(lái)決定所述濺鍍氣體的氧分壓的值,而導(dǎo)入所述濺鍍氣體,其中所述最佳氧分壓的數(shù)據(jù)為所述濺鍍氣體中的氧分壓的最佳值,并且
所述控制裝置根據(jù)所述基礎(chǔ)壓力的上升,以使所述氧分壓的值逐漸減少的方式,來(lái)控制所述濺鍍氣體的導(dǎo)入,其中所述基礎(chǔ)壓力的上升是隨著通過(guò)重復(fù)所述成膜使附著在所述密閉容器內(nèi)部的所述成膜材料增加而造成。
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C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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