[發明專利]成膜裝置及成膜方法

有效

• 申請號: 201710148173.1
• 申請日: 2017-03-13
• 公開（公告）號: CN107201503B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 小野大祐
• 申請（專利權）人: 芝浦機械電子裝置株式會社
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

本發明提供一種成膜裝置及成膜方法，進行將氧保持為適當量、品質良好且品質的不均少的成膜。成膜裝置(1)包括：作為密閉容器的腔室(2)，配置著包含成膜材料的靶材(231)，內部被搬入工件(W)；排氣裝置(25)，在工件(W)的搬入后，將腔室(2)排氣規定的排氣時間而形成基礎壓力；以及濺鍍氣體導入部(27)，向排氣成基礎壓力的腔室(2)的內部導入含氧的濺鍍氣體。濺鍍氣體導入部(27)根據附著在腔室(2)的內部的成膜材料的增加所引起的基礎壓力的上升，使導入到腔室(2)的濺鍍氣體的氧分壓減少。

技術領域

本發明涉及一種成膜裝置及成膜方法。

背景技術

在觸摸屏(touch panel)等中使用的由玻璃或者塑料樹脂所形成的絕緣性基板等工件上，有時形成氧化銦錫(ITO：Indium Tin Oxide)膜等透明且具有導電性的氧化膜。成膜中使用的是在作為密閉容器的腔室內配置包含成膜材料的靶材的成膜裝置。向腔室內導入含氧的濺鍍氣體，對靶材施加直流電壓而使濺鍍氣體等離子體化從而生成離子，使該離子碰撞到靶材。通過將從靶材擊出的材料的粒子堆積于工件上而進行成膜。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開昭58-94703號公報

發明內容

[發明所要解決的問題]

成膜處理時，成膜材料不僅附著在工件上，還附著在腔室的內壁。如果重復成膜處理，則附著量會增多。從附著在腔室的內壁的成膜材料中釋放逸氣。逸氣中含氧，該氧也因等離子體而離子化。因此，如果重復成膜處理則氧量會增加。成膜處理中如果不將氧量保持為適當量，則成膜的ITO膜中，會產生電阻值增加的問題。即，產品的品質不固定，進而存在產生次品的可能性。

已知如果腔室內的氧增加，則成膜速度會降低。例如，專利文獻1中提出如下技術，即，在腔室內部設置對成膜速度進行測定的測定件，根據成膜速度的降低而對導入到腔室的氧量進行調整。然而，關于成膜速度降低，是在已存在于腔室內的氧的總量超過了適當量的狀態下進行成膜的階段，該階段下即便對導入到腔室的氧量進行調整，也無法否定品質發生不均或產生次品的可能性。

本發明解決所述課題，目的在于提供一種即便連續進行成膜處理，也可制造出品質良好且品質的不均少的產品的可靠性高的成膜裝置及成膜方法。

[解決問題的技術手段]

為了達成所述目的，本發明的成膜裝置對工件使用等離子體進行成膜，包括：密閉容器，配置著包含成膜材料的靶材，內部被搬入所述工件；排氣裝置，在所述工件的搬入后，將所述密閉容器排氣規定時間而成為基礎壓力；以及濺鍍氣體導入部，對排氣成所述基礎壓力的所述密閉容器的內部，導入含氧的濺鍍氣體，所述濺鍍氣體導入部根據附著在所述密閉容器內部的所述成膜材料的增加所引起的所述基礎壓力的上升，使導入到所述密閉容器的所述濺鍍氣體的氧分壓減少。

成膜裝置也可包括：壓力計，對所述基礎壓力進行測量；以及控制裝置，根據由所述壓力計測定出的所述基礎壓力，來決定所述濺鍍氣體導入部導入的所述濺鍍氣體的氧分壓。

成膜裝置也可包括：電源裝置，對所述靶材施加電壓；以及控制裝置，根據基于從所述電源裝置供給到所述靶材的電力的累計量而決定的所述基礎壓力，來決定所述濺鍍氣體導入部導入的所述濺鍍氣體的氧分壓。

成膜裝置也可還包括警報生成部，所述警報生成部在所述基礎壓力超過6×10^-3[Pa]時生成警報。