[發明專利]晶圓承載裝置

有效

• 申請號: 201710147409.X
• 申請日: 2017-03-13
• 公開（公告）號: CN107195579B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 黃彥綸;孫健仁;施英汝;徐文慶
• 申請（專利權）人: 環球晶圓股份有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355
• 代理人: 史瞳;許榮文

一種晶圓承載裝置，供多個晶圓置放，該晶圓承載裝置包含：一盤體，及多個容置機構。該盤體可繞其中心軸線旋轉且包括一上表面，及一沿該中心軸線方向相反于該上表面的下表面。所述容置機構自該盤體之上表面凹陷而成，每一容置機構包括一形成于該盤體之上表面的開口、一自該開口朝向該盤體之下表面延伸的側壁面，及一連接該側壁面以與該側壁面共同界定出一容置槽的底壁面，該容置槽供晶圓自該開口放入。每一容置機構的側壁面具有一鄰近對應之底壁面的下區段，該下區段具有一遠離該盤體之中心軸線且可供晶圓抵靠的抵靠部，本發明藉由抵靠部使晶圓在該盤體旋轉時受壓均勻分布，避免因受離心力擠壓而導致邊緣或表面產生缺陷、損傷，而使晶圓質量下降。

技術領域

本發明涉及一種承載裝置，特別是涉及一種應用于半導體磊晶制程中的晶圓承載裝置。

背景技術

化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)為半導體組件制程中重要的制程技術之一。其方法主要是將晶圓暴露在一種或多種不同的前驅物(precursor)下，使晶圓表面發生氧化還原等化學反應，藉此沉積薄膜于晶圓表面上。在進行化學氣相沉積的過程中，薄膜之膜厚均勻度是決定薄膜質量好壞的重要指標之一。為此，在化學氣相沉積的過程中，常用加熱晶圓載體、變化反應腔室之形狀、修改簇射頭特性，以及旋轉晶圓載體等方式提高薄膜之膜厚均勻度。

上述所提及的方法中，旋轉晶圓載體雖能有效提高膜厚均勻度，卻也衍生了另一個影響制程良率的問題。當晶圓在載體上旋轉時會受到離心力之影響進而壓迫載體，造成晶圓邊緣或表面產生缺陷、損傷，導致晶圓質量下降，不利于后續的半導體組件制作。

發明內容

本發明的目的在于提供一種在半導體磊晶制程中，避免放置在旋轉的載體上之晶圓因壓迫載體，而導致邊緣或表面產生缺陷、損傷，導致晶圓質量下降的晶圓承載裝置。

本發明晶圓承載裝置，供多個晶圓置放，每一晶圓之頂部周緣經倒角處理而形成一倒角部，該晶圓承載裝置包含：一盤體，以及多個容置機構。該盤體可繞其中心軸線旋轉且包括一上表面，以及一沿該中心軸線方向相反于該上表面的下表面。所述容置機構自該盤體之上表面凹陷而成，每一容置機構包括一形成于該盤體之上表面的開口、一自該開口朝向該盤體之下表面延伸的側壁面，以及一連接該側壁面以與該側壁面共同界定出一容置槽的底壁面，該容置槽供晶圓自該開口放入。其中，定義一垂直通過對應之底壁面中心的第一軸線，每一容置機構的側壁面具有一上區段、一傾斜段，以及一下區段。該上區段自對應之開口向下延伸至一第一轉折部，該傾斜段自該第一轉折部朝遠離該第一軸線之方向斜向下延伸至一第二轉折部且面朝晶圓的倒角部，該第二轉折部不高于晶圓之頂表面。該下區段鄰近對應之底壁面且自該容置機構的底壁面之周緣向上延伸至水平對齊于該第二轉折部之位置。該下區段具有一遠離該盤體之中心軸線且的抵靠部，當該盤體繞該中心軸線旋轉時，晶圓抵靠該下區段之抵靠部。

本發明所述的晶圓承載裝置，該抵靠部自水平對齊于該第二轉折部之位置被向下挖空而形成一缺口，以使該下區段形成一高于對應之底壁面的凹部。

本發明所述的晶圓承載裝置，每一晶圓之周緣經切削而形成一定向平面，每一容置機構之容置槽的橫切面對應晶圓之形狀，且該容置機構的下區段形成一抵貼部，當該盤體繞該中心軸線旋轉時，晶圓的定向平面抵貼該抵貼部。

本發明所述的晶圓承載裝置，每一容置機構的傾斜段與該水平線之夾角不小于晶圓之倒角部與該水平線之夾角且小于九十度。

本發明所述的晶圓承載裝置，每一容置機構的傾斜段與該水平線之夾角等于晶圓之倒角部與該水平線之夾角。

本發明所述的晶圓承載裝置，每一容置機構的傾斜段與該水平線之夾角不大于晶圓之倒角部與該水平線之夾角加上三十度。

本發明所述的晶圓承載裝置，每一容置機構的傾斜段與晶圓的倒角部之間距不小于10微米。