[發(fā)明專利]晶圓承載裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710147409.X | 申請(qǐng)日: | 2017-03-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107195579B | 公開(公告)日: | 2019-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃彥綸;孫健仁;施英汝;徐文慶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 環(huán)球晶圓股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/687 | 分類號(hào): | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11355 | 代理人: | 史瞳;許榮文 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 承載 裝置 | ||
1.一種晶圓承載裝置,供多個(gè)晶圓置放,每一晶圓之頂部周緣經(jīng)倒角處理而形成一倒角部,其特征在于,該晶圓承載裝置包含:
一盤體,可繞其中心軸線旋轉(zhuǎn)且包括一上表面,以及一沿該中心軸線方向相反于該上表面的下表面;以及
多個(gè)容置機(jī)構(gòu),自該盤體之上表面凹陷而成,每一容置機(jī)構(gòu)包括一形成于該盤體之上表面的開口、一自該開口朝向該盤體之下表面延伸的側(cè)壁面,以及一連接該側(cè)壁面以與該側(cè)壁面共同界定出一容置槽的底壁面,該容置槽供晶圓自該開口放入;
其中,定義一垂直通過對(duì)應(yīng)之底壁面中心的第一軸線,每一容置機(jī)構(gòu)的側(cè)壁面具有
一上區(qū)段,自對(duì)應(yīng)之開口向下延伸至一第一轉(zhuǎn)折部,
一傾斜段,自該第一轉(zhuǎn)折部朝遠(yuǎn)離該第一軸線之方向斜向下延伸至一第二轉(zhuǎn)折部且面朝晶圓的倒角部,該第二轉(zhuǎn)折部不高于晶圓之頂表面,以及
一下區(qū)段,鄰近對(duì)應(yīng)之底壁面且自該底壁面之周緣向上延伸至水平對(duì)齊于該第二轉(zhuǎn)折部之位置,該下區(qū)段具有一遠(yuǎn)離該盤體之中心軸線的抵靠部,當(dāng)該盤體繞該中心軸線旋轉(zhuǎn)時(shí),晶圓抵靠該下區(qū)段之抵靠部;
該抵靠部自水平對(duì)齊于該第二轉(zhuǎn)折部之位置被向下挖空而形成一缺口,以使該下區(qū)段形成一高于對(duì)應(yīng)之底壁面的凹部。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于:每一晶圓之周緣經(jīng)切削而形成一定向平面,每一容置機(jī)構(gòu)之容置槽的橫切面對(duì)應(yīng)晶圓之形狀,且該容置機(jī)構(gòu)的下區(qū)段形成一抵貼部,定義一條該盤體的與該中心軸線垂直的橫剖面與該定向平面相交的假想線,該抵貼部沿著該假想線之寬度不小于晶圓之定向平面之寬度,當(dāng)該盤體繞該中心軸線旋轉(zhuǎn)時(shí),晶圓的定向平面抵貼該抵貼部。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于:每一容置機(jī)構(gòu)的傾斜段與水平線之夾角不小于晶圓之倒角部與水平線之夾角且小于九十度。
4.如權(quán)利要求3所述的晶圓承載裝置,其特征在于:每一容置機(jī)構(gòu)的傾斜段與水平線之夾角等于晶圓之倒角部與水平線之夾角。
5.如權(quán)利要求3所述的晶圓承載裝置,其特征在于:每一容置機(jī)構(gòu)的傾斜段與水平線之夾角不大于晶圓之倒角部與水平線之夾角加上三十度。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于:每一容置機(jī)構(gòu)的傾斜段與晶圓的倒角部之間距不小于10微米。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于:每一容置機(jī)構(gòu)的下區(qū)段的凹部具有一自該凹部底端朝向該第一軸線延伸的階梯部,該階梯部之寬度不小于10微米。
8.如權(quán)利要求7所述的晶圓承載裝置,其特征在于:自每一容置機(jī)構(gòu)的底壁面垂直延伸至對(duì)應(yīng)之階梯部的高度是晶圓之厚度的二分之一以上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





