[發(fā)明專利]一種優(yōu)化鈣鈦礦晶體薄膜形貌的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710142615.1 | 申請日: | 2017-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN107068875B | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝國華;易建鵬;薛欽 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L51/44 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 汪俊鋒 |
| 地址: | 430072 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 優(yōu)化 鈣鈦礦 晶體 薄膜 形貌 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種蒸汽退火輔助鈣鈦礦晶體薄膜沉積的方法,屬于光電領(lǐng)域。我們根據(jù)薄膜退火機制,創(chuàng)造性地提出通過改變?nèi)軇┱羝c鈣鈦礦晶體薄膜之間的溫度差實現(xiàn)了對鈣鈦礦晶體薄膜生長過程的調(diào)控;更進一步地,我們通過改變?nèi)軇┑氖褂昧炕蛘呷軇┑恼羝麎哼_到了調(diào)控鈣鈦礦晶體薄膜形貌的目的。蒸汽輔助退火可以是單次退火,亦可以是多次連續(xù)或者循環(huán)退火。相較于常規(guī)退火方法處理的器件,基于溶劑蒸汽退火處理過的鈣鈦礦薄膜的平板異質(zhì)結(jié)太陽能電池器件的效率展現(xiàn)出了較大的提升,在未對陰極進行修飾的條件下效率達到了15.0%,高于大部分文獻報道相似器件結(jié)構(gòu)的效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種優(yōu)化鈣鈦礦晶體薄膜形貌的方法,屬于光電領(lǐng)域。
技術(shù)背景
有機-無機雜化鈣鈦礦材料具有原料來源廣泛、制作成本低廉、載流子遷移率較高、激子結(jié)合能較小、激子擴散距離較長、光電性能易調(diào)控等諸多優(yōu)點,已經(jīng)在太陽能電池、電致發(fā)光二極管、光電探測器以及半導(dǎo)體激光器等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛能,成為了最近幾年來學(xué)術(shù)界的熱門研究對象。得益于科研工作者的不懈努力,基于鈣鈦礦薄膜的太陽能電池技術(shù)近年來取得了突飛猛進的發(fā)展。根據(jù)文獻的報道,目前的效率已經(jīng)邁過了20%的門檻,甚至達到了23%,直逼晶硅電池的實驗室效率26%,證明了其具有良好的商業(yè)化前景。
盡管鈣鈦礦太陽能電池的效率已經(jīng)取得了較大的突破,但是器件中仍然存在一些問題亟待解決,如鈣鈦礦薄膜形貌的控制、優(yōu)化、大面積生長及其重復(fù)性等。雖然與鈣鈦礦層形貌有關(guān)的研究不勝枚舉,但是鈣鈦礦晶體薄膜形貌隨機性較大,且在重復(fù)性方面的表現(xiàn)差強人意。優(yōu)化鈣鈦礦的晶型形貌有助于進一步提升器件的效率,主要的著力點在于如何獲得致密、晶粒尺寸較大且均一、缺陷態(tài)密度較小的鈣鈦礦晶體薄膜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種優(yōu)化鈣鈦礦晶體薄膜形貌的方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案具體如下:
將鈣鈦礦晶體薄膜置于密閉的有機溶劑的蒸汽氛圍內(nèi),進行差熱退火處理,所述蒸汽的溫度為100℃,鈣鈦礦晶體薄膜的溫度比蒸汽溫度低10~50℃。
所述有機溶劑為N,N-二甲基甲酰胺、二甲亞砜、γ-丁內(nèi)酯、甲胺或乙腈中的一種或幾種。
退火時間為1小時。
本發(fā)明方法可以實現(xiàn)對薄鈣鈦礦晶體生長過程以及薄膜表面形貌的調(diào)控,進而提升鈣鈦礦太陽能電池的功率轉(zhuǎn)化效率。
在上述技術(shù)方案中,我們創(chuàng)造性地提出新的蒸汽熱退火方法,即所述的溫差退火法。
在上述技術(shù)方案中,退火采用的裝置包括金屬密閉腔體和腔體密封蓋,金屬密閉腔體的底部放置用于調(diào)控溫差的玻璃片,用于退火的鈣鈦礦晶體薄膜置于玻璃片之上。金屬密閉腔體傳熱更為有效,腔體溫度更加均勻。
在上述技術(shù)方案中,可以通過改變?nèi)軇┑氖褂昧考凑羝麎旱拇笮崿F(xiàn)對鈣鈦礦薄膜生長過程的調(diào)控。
本發(fā)明方法的有益效果是:
(1)通過利用蒸汽蒸汽輔助退火方法,蒸汽蒸汽可以誘導(dǎo)鈣鈦礦晶粒長大,減少晶界的數(shù)量,增加晶界的長度;
(2)通過利用蒸汽蒸汽輔助退火方法,蒸汽蒸汽退火處理后的鈣鈦礦薄膜表面平整度有了明顯的提高,結(jié)構(gòu)致密且孔洞變少,可以顯著降低鈣鈦礦的缺陷態(tài)密度,降低激子在晶界等界面陷阱處的復(fù)合概率;
(3)通過利用蒸汽蒸汽輔助退火方法,蒸汽退火處理后的鈣鈦礦晶體尺寸更加均一;
(4)通過利用蒸汽輔助退火方法,可以顯著提升載流子遷移率、增加激子的擴散長度,有助于器件效率的提升。
(5)通過利用蒸汽輔助退火方法,可以通過調(diào)控蒸汽與鈣鈦礦晶體薄膜二者之間的溫度差實現(xiàn)對晶體生長過程的調(diào)控。
附圖說明
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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