[發(fā)明專利]靜電式晶圓吸附座及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710141535.4
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN108573893A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李家銘;梁耀祥;曹榮志;朱炫權(quán);蘇賢纮
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本揭露提出一種靜電式晶圓吸附座及其制造方法，其中靜電式晶圓吸附座包含具有第一表面的承載座以及多個突起結(jié)構(gòu)。所述多個突起結(jié)構(gòu)是分布在前述第一表面上，且每一個突起結(jié)構(gòu)包含氧化鋁層、粘著層以及抗磨耗層，其中氧化鋁層是埋設(shè)于第一表面中，粘著層是設(shè)置于氧化鋁層上，而抗磨耗層是設(shè)置于粘著層上。上述方法包含將粘著層先沉積于埋設(shè)在承載座中的氧化鋁層上，以及將抗磨耗層沉積在粘著層上。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露是有關(guān)于一種靜電式晶圓吸附座及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種包含具有特定材料組成以及厚度比值的突起結(jié)構(gòu)的靜電式晶圓吸附座及其制造方法。上述靜電式晶圓吸附座具有低磨耗量以及使用壽命長等優(yōu)點。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制程中，相較于機(jī)械式的夾持系統(tǒng)，利用靜電吸附晶圓的靜電式晶圓吸附座具有不易損壞晶圓的優(yōu)點。因此，靜電式晶圓吸附座(Electrostatic chuck)常設(shè)于制程腔體中，以夾持晶圓從而便于進(jìn)行如化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積或干式蝕刻等制程。

一般而言，靜電式晶圓吸附座的表面上設(shè)有多個突起結(jié)構(gòu)，突起結(jié)構(gòu)之間的空間可提供氣體的流通，從而利于靜電式晶圓吸附座的加熱元件的熱均勻傳導(dǎo)至每一個突起結(jié)構(gòu)上。然而，由于晶圓在未被靜電式晶圓吸附座吸附前，呈中心微凸的曲面，導(dǎo)致用于吸附晶圓周邊的靜電式晶圓吸附座的突起結(jié)構(gòu)容易被磨耗，甚至是崩壞。磨耗或崩壞的突起結(jié)構(gòu)的厚度減少及/或與晶圓的接觸面積改變，致使被靜電式晶圓吸附座吸附的晶圓受熱不均勻，從而產(chǎn)生擠壓缺陷(Extrusion defect)，使得晶圓表面生成非預(yù)定的突出物。因為上述所遭遇的問題，目前于半導(dǎo)體制程中常使用的靜電式晶圓吸附座的使用壽命較短。

鑒于上述種種問題，目前亟需提出一種靜電式晶圓吸附座及其制造方法，其可有效改善靜電式晶圓吸附座的突起結(jié)構(gòu)磨耗和崩壞的缺點，以延長靜電式晶圓吸附座的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本揭露的一態(tài)樣是在提供一種靜電式晶圓吸附座，其可透過特定的突起結(jié)構(gòu)，降低靜電式晶圓吸附座使用過程中的磨耗。

本揭露的另一態(tài)樣是在提供一種靜電式晶圓吸附座的制造方法，其可制得上述的靜電式晶圓吸附座。

根據(jù)本揭露的上述態(tài)樣，提出一種靜電式晶圓吸附座。在一實施例中，上述靜電式晶圓吸附座可包含承載座以及多個突起結(jié)構(gòu)。所述承載座具有第一表面，其中承載座是用于承載晶圓于第一表面上。所述多個突起結(jié)構(gòu)是分布在前述第一表面上，且每一個突起結(jié)構(gòu)包含氧化鋁層、粘著層以及抗磨耗層，其中氧化鋁層是埋設(shè)于第一表面中，粘著層是設(shè)置于氧化鋁層上，而抗磨耗層是設(shè)置于粘著層上，用以接觸所述晶圓。

根據(jù)本揭露的上述態(tài)樣，提出一種靜電式晶圓吸附座的制造方法。在一實施例中，上述方法是首先提供承載座，其具有第一表面，用以承載晶圓于第一表面上，其中承載座的第一表面分別埋設(shè)有多個氧化鋁層，且所述多個氧化鋁層是自第一表面暴露出來。接著，利用罩幕于每一個氧化鋁層上沉積粘著層。然后，利用上述罩幕于每一個氧化鋁層上的粘著層上沉積抗磨耗層，其中所述抗磨耗層是突出于第一表面。

附圖說明

通過以下詳細(xì)說明并配合附圖閱讀，可更容易理解本揭露。在此強(qiáng)調(diào)的是，按照產(chǎn)業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)做法，各種特征并未按比例繪制，僅為說明之用。事實上，為了清楚的討論，各種特征的尺寸可任意放大或縮小。

圖1A是繪示根據(jù)本揭露的實施例所述的靜電式晶圓吸附座的剖面示意圖；

圖1B和圖1C是繪示本揭露的一些實施例所述的靜電式晶圓吸附座的上視圖；

圖1D至圖1F是繪示本揭露的一些實施例所述的靜電式晶圓吸附座的承載座和突起結(jié)構(gòu)的局部放大剖面示意圖；

圖2A至圖2C是繪示根據(jù)本揭露的一些實施例所述的靜電式晶圓吸附座的制造方法的各個中間階段的剖面示意圖；