[發明專利]靜電式晶圓吸附座及其制造方法

在審

• 申請號: 201710141535.4
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN108573893A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 李家銘;梁耀祥;曹榮志;朱炫權;蘇賢纮
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種靜電式晶圓吸附座，其特征在于，包含：

一承載座，具有一第一表面，用以承載一晶圓于該第一表面上；以及

多個突起結構，分布在該第一表面上，其中每一所述突起結構包含：一氧化鋁層，埋設于該第一表面中；一粘著層，設置于該氧化鋁層上；以及一抗磨耗層，設置于該粘著層上，用以接觸該晶圓。

2.根據權利要求1所述的靜電式晶圓吸附座，其特征在于，其中該抗磨耗層與該粘著層的一厚度比值為6至34。

3.根據權利要求1所述的靜電式晶圓吸附座，其特征在于，其中該氧化鋁層是突出該第一表面。

4.根據權利要求1所述的靜電式晶圓吸附座，其特征在于，其中該承載座是由氮化鋁所組成，該粘著層為一金屬鈦層，且該抗磨耗層為氮化鈦層。

5.根據權利要求1所述的靜電式晶圓吸附座，其特征在于，其中該承載座具有相對該第一表面的一第二表面，且該靜電式晶圓吸附座還包含：

至少一對電極，埋設于該承載座中并鄰近于該第一表面；

一加熱元件，埋設于該承載座中并位于該至少一對電極和該第二表面之間；

一冷卻層，設于該第二表面上；以及

一氣體通道，貫穿該冷卻層以及該承載座。

6.一種靜電式晶圓吸附座的制造方法，其特征在于，包含：

提供一承載座，其中該承載座具有一第一表面，用以承載一晶圓于該第一表面上，其中該承載座的該第一表面分別埋設有多個氧化鋁層，所述多個氧化鋁層并自該第一表面暴露出來；

利用一罩幕于每一所述氧化鋁層上沉積一粘著層；以及

利用該罩幕于每一所述氧化鋁層上的該粘著層上沉積一抗磨耗層，其中該抗磨耗層是突出于該第一表面。

7.根據權利要求6所述的靜電式晶圓吸附座的制造方法，其特征在于，其中該抗磨耗層與該粘著層的一厚度比為6至34。

8.根據權利要求6所述的靜電式晶圓吸附座的制造方法，其特征在于，其中該氧化鋁層是突出該第一表面。

9.根據權利要求6所述的靜電式晶圓吸附座的制造方法，其特征在于，其中該承載座是由氮化鋁所組成，該抗磨耗層為氮化鈦層，且該粘著層為一金屬鈦層。

10.根據權利要求6所述的靜電式晶圓吸附座的制造方法，其特征在于，其中該沉積該粘著層以及該沉積該抗磨耗層的步驟是利用物理氣相沉積進行。