[發明專利]一種銳角金屬圖形制作方法

有效

• 申請號: 201710141342.9
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN106653580B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 陳一峰
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/20;H01L21/02
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐

本發明涉及半導體制作技術領域，具體涉及一種銳角金屬圖形制作方法，包括以下步驟：S1、在銳角缺損的金屬圖形上采用PECVD反應生長硅化物層；S2、在所述硅化物層上涂覆光刻膠，采用光刻顯影定義出硅化物層的打開位置；S3、根據所述打開位置，采用刻蝕方式打開硅化物層，定義出銳角位置，銳角位置的兩個自由端與銳角缺損的金屬圖形部分重疊；S4、在所述銳角位置再次沉積金屬；S5、去除光刻膠，得到具有完整銳角的金屬圖形。本發明在傳統lift?off工藝的基礎上，進行二次金屬沉積，由于第二次銳角位置的兩個自由端僅與銳角缺損的金屬圖形部分重疊，區域較小，有利于濕法藥水進入銳角處，便于光刻膠去除，更易于完成具有完整銳角的金屬圖形。

技術領域

本發明屬于半導體制造技術領域，具體涉及一種銳角金屬圖形制作方法。

背景技術

金屬lift-off工藝由于剝離精度高、形貌好、控制容易，已廣泛地應用于半導體制造業。整個lift-off工藝為：（1）在襯底上涂覆一層光刻膠，把掩膜版圖案在襯底表面上準確對準，通過曝光將圖形轉移到光刻膠涂層上，并通過顯影把掩膜版圖案復刻到光刻膠上，得到圖形化襯底，如圖1（a）所示；（2）采用金屬蒸發、濺射或化學氣相淀積薄膜工藝，在圖形化襯底上沉積一層金屬1，如圖1（b）所示；（3）去除光刻膠，得到金屬圖形，如圖1（c）所示。

在整個半導體工藝中，為了節約成本，提高效率，在去除光刻膠時，一般采用物理撕除（tape- peeling）結合濕法的方式快速去除光刻膠。在金屬圖形存在銳角時，濕法藥水不易進入銳角區域，加之物理撕除的引入，極易造成金屬圖形的銳角缺損，如圖4（a）所示。

發明內容

本發明的目的在于提供一種銳角金屬圖形制作方法，該夾具可以很好地解決傳統lift-off工藝極易造成金屬圖形缺損，無法得到具有完成銳角的金屬圖形的問題。

為達到上述要求，本發明采取的技術方案是：提供一種銳角金屬圖形制作方法，包括采用lift-off工藝形成銳角缺損的金屬圖形的步驟，還包括以下步驟：

S1、在銳角缺損的金屬圖形上采用PECVD反應生長硅化物層；

S2、在所述硅化物層上涂覆光刻膠，采用光刻顯影定義出硅化物層的打開位置；

S3、根據所述打開位置，采用刻蝕方式打開硅化物層，定義出銳角位置，銳角位置的兩個自由端與銳角缺損的金屬圖形部分重疊；

S4、在所述銳角位置再次沉積金屬；

S5、去除光刻膠，得到具有完整銳角的金屬圖形。

與現有技術相比，本發明具有以下優點：

在傳統lift-off工藝的基礎上，進行二次金屬沉積，由于第二次銳角位置的兩個自由端僅與銳角缺損的金屬圖形部分重疊，區域較小，有利于濕法藥水進入銳角處，便于光刻膠去除，更易于完成具有完整銳角的金屬圖形。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構成本申請的一部分，在這些附圖中使用相同的參考標號來表示相同或相似的部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。在附圖中：

圖1為lift-off工藝過程中形成的器件結構的剖視圖；

圖2為本發明方法的流程圖；

圖3為本發明工藝過程中形成的器件結構的剖視圖；

圖4（a）為lift-off工藝形成的具有缺損銳角的金屬圖形的俯視圖；圖4（b）為硅化物層打開位置的俯視圖；圖4（c）為具有完整銳角的金屬圖形的俯視圖。

具體實施方式