[發(fā)明專(zhuān)利]一種銳角金屬圖形制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710141342.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106653580B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳一峰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/027 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/02 |
| 代理公司: | 成都華風(fēng)專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐豐 |
| 地址: | 610029 四川省成都市*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 銳角 金屬 圖形 制作方法 | ||
1.一種銳角金屬圖形制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、在銳角缺損的金屬圖形上采用PECVD反應(yīng)生長(zhǎng)硅化物層;
S2、在所述硅化物層上涂覆光刻膠,采用光刻顯影定義出硅化物層的打開(kāi)位置;
S3、根據(jù)所述打開(kāi)位置,采用刻蝕方式打開(kāi)硅化物層,定義出銳角位置,銳角位置的兩個(gè)自由端與銳角缺損的金屬圖形部分重疊;
S4、在所述銳角位置再次沉積金屬;
S5、去除光刻膠,得到具有完整銳角的金屬圖形;
所述硅化物層為SiO2或SiN。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銳角金屬圖形制作方法,其特征在于,所述步驟S3中,銳角位置與銳角缺損的金屬圖形單邊重疊長(zhǎng)度不小于0.5 μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的銳角金屬圖形制作方法,其特征在于,所述步驟S4中再次沉積的金屬單邊長(zhǎng)度不超過(guò)10 μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





