[發(fā)明專利]一種增強(qiáng)型CMOS施密特電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710141051.X
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號(hào): CN106953618B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 浦珺慧;劉雯
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H03K3/3565
• 分類號(hào): H03K3/3565;H03K3/012
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種增強(qiáng)型CMOS施密特電路，具有施密特電路，其特征在于，在施密特電路上連接有增強(qiáng)電路；增強(qiáng)電路包括：

一個(gè)電阻，電阻的一端連接輸入信號(hào)，另一端與施密特電路的輸入端連接于一分壓節(jié)點(diǎn)；

一個(gè)第一類型晶體管，其源極連接電源，其漏極連接于所述分壓節(jié)點(diǎn)，其柵極連接第一反相電路的輸入端；

一個(gè)第二類型晶體管，其源極接地，其漏極連接于所述分壓節(jié)點(diǎn)，其柵極連接第一反相電路的輸入端，且所述第一類型晶體管和所述第二類型晶體管的導(dǎo)電類型不相同；

施密特電路的輸入端連接所述分壓節(jié)點(diǎn)，其輸出端連接第一反相電路的輸入端，且所述施密特電路的輸出端的信號(hào)反饋至所述第一類型晶體管和所述第二類型晶體管；以及，

第一反相電路的輸出端輸出信號(hào)，所述輸出信號(hào)與所述輸入信號(hào)同相。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型CMOS施密特電路，其特征在于，所述施密特電路為正向施密特電路；在正向施密特電路和第一反相電路之間還設(shè)置有第二反相電路；第二反相電路的輸入端與正相施密特電路的輸出端連接，第二反相電路的輸出端與第一反相電路的輸入端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型CMOS施密特電路，其特征在于，所述施密特電路為反向施密特電路。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增強(qiáng)型CMOS施密特電路，其特征在于，所述第一類型晶體管為PMOS晶體管，所述第二類型晶體管為NMOS晶體管。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增強(qiáng)型CMOS施密特電路，其特征在于，所述第一類型晶體管為NMOS晶體管，所述第二類型晶體管為PMOS晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1~3任意一項(xiàng)所述的增強(qiáng)型CMOS施密特電路，其特征在于，所述電阻的阻值和第一類型晶體管、第二類型晶體管的阻值為同一數(shù)量級。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增強(qiáng)型CMOS施密特電路，其特征在于，所述電阻為P型電阻。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增強(qiáng)型CMOS施密特電路，其特征在于，所述電阻的阻值和所述第一類型晶體管的阻值、第二類型晶體管的阻值均為兆歐姆數(shù)量級。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的增強(qiáng)型CMOS施密特電路，其特征在于，所述電阻的阻值為300~500兆歐姆。