[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710140871.7 | 申請日: | 2017-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN107767893B | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 小內(nèi)俊之;奧野晉也 | 申請(專利權(quán))人: | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號: | G11C5/14 | 分類號: | G11C5/14 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 楊林勛 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,其具備:
第一轉(zhuǎn)換電路,將輸入信號轉(zhuǎn)換為與所述輸入信號對應(yīng)的電流;
第二轉(zhuǎn)換電路,將經(jīng)所述第一轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換的電流轉(zhuǎn)換為與所述經(jīng)轉(zhuǎn)換的電流對應(yīng)的電壓;
傳輸路徑,傳輸所述電壓;
定電流源;
晶體管,具備接收來自所述定電流源的電流的漏極端子、及被施加由所述傳輸路徑傳輸?shù)乃鲭妷旱臇艠O端子;及
放大電路,將所述晶體管的漏極電壓與參考電壓的差分電壓放大并輸出;且
所述傳輸路徑是硅貫通電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其進(jìn)而具備:
第三轉(zhuǎn)換電路,將電流轉(zhuǎn)換為電壓;
第二傳輸路徑,傳輸由所述第三轉(zhuǎn)換電路獲得的所述電壓;
第二定電流源;及
第四轉(zhuǎn)換電路,基于由所述第二傳輸路徑傳輸?shù)乃鲭妷杭皝碜运龅诙娏髟吹碾娏鳎伤鰠⒖茧妷骸?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中所述第一轉(zhuǎn)換電路及所述第二轉(zhuǎn)換電路形成于第一半導(dǎo)體基板以及所述定電流源、所述晶體管及所述放大電路與所述第一半導(dǎo)體基板不同的第二半導(dǎo)體基板。
4.一種半導(dǎo)體裝置,其具備:
第一轉(zhuǎn)換電路,將輸入信號轉(zhuǎn)換為與所述輸入信號對應(yīng)的電流;
傳輸路徑,供經(jīng)所述第一轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換的電流流動;
第二轉(zhuǎn)換電路,將來自所述傳輸路徑的所述經(jīng)轉(zhuǎn)換的電流轉(zhuǎn)換為與所述經(jīng)轉(zhuǎn)換的電流對應(yīng)的電壓;
定電流源;
晶體管,具備接收來自所述定電流源的電流的漏極端子、及被施加經(jīng)所述第二轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換的電壓的柵極端子;及
放大電路,將所述晶體管的漏極電壓與參考電壓的差分電壓放大并輸出;且
所述傳輸路徑是硅貫通電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體裝置,其中
所述第一轉(zhuǎn)換電路將多個輸入信號轉(zhuǎn)換為與所述多個輸入信號對應(yīng)的電流,
所述放大電路輸出用來識別所述多個輸入信號的輸出信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體裝置,其中所述第一轉(zhuǎn)換電路、所述第二轉(zhuǎn)換電路、所述定電流源、所述晶體管及所述放大電路形成于同一半導(dǎo)體基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,其中所述第一轉(zhuǎn)換電路形成于第一半導(dǎo)體基板,所述第二轉(zhuǎn)換電路、所述定電流源、所述晶體管及所述放大電路形成于與所述第一半導(dǎo)體基板不同的第二半導(dǎo)體基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或7所述的半導(dǎo)體裝置,其中所述第一半導(dǎo)體基板是存儲芯片,
所述第二半導(dǎo)體基板是負(fù)責(zé)所述存儲芯片與外部之間的信號的接收和發(fā)送的接口芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求3或7所述的半導(dǎo)體裝置,其中所述第二半導(dǎo)體基板是存儲芯片,
所述第一半導(dǎo)體基板是負(fù)責(zé)所述存儲芯片與外部之間的信號的接收和發(fā)送的接口芯片。
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