[發(fā)明專利]用于柵極介電完整性測(cè)試的結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710138729.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108573888A | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔣昊;金秋敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人: | 高偉;劉愛(ài)平 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬線 源/漏極 襯底 焊盤 柵極介電層 襯底焊盤 柵極焊盤 同一層 測(cè)試 完整性測(cè)試 測(cè)試效率 間隔設(shè)置 金屬線層 柵極介電 晶體管 絕緣 保證 | ||
1.一種用于柵極介電完整性測(cè)試的結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
襯底,所述襯底內(nèi)設(shè)有拾取區(qū);
晶體管,包括位于所述襯底上的柵極介電層,位于所述柵極介電層上的柵極,以及位于所述襯底內(nèi)的源/漏極;
位于所述柵極上方的第一金屬線、第二金屬線和第三金屬線,所述第一金屬線、所述第二金屬線和所述第三金屬線位于同一層并相互絕緣地間隔設(shè)置;
位于所述第一金屬線、所述第二金屬線和所述第三金屬線上方的柵極焊盤、源/漏極焊盤以及襯底焊盤,所述柵極通過(guò)所述第一金屬線連接至所述柵極焊盤,所述源/漏極通過(guò)所述第二金屬線連接至所述源/漏極焊盤,所述襯底通過(guò)所述第三金屬線連接至所述襯底焊盤。
2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述拾取區(qū)的數(shù)量為若干個(gè)并相間隔地圍成至少一個(gè)包圍所述晶體管的環(huán)形區(qū)域,相鄰的所述拾取區(qū)之間電連接。
3.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述環(huán)形區(qū)域?yàn)榫匦螀^(qū)域,圍成所述矩形區(qū)域的所述拾取區(qū)中,部分所述拾取區(qū)沿第一方向間隔地排列,另一部分所述拾取區(qū)沿第二方向間隔地排列,所述第二方向垂直于第一方向。
4.如權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述拾取區(qū)排列成日字形,所述矩形區(qū)域的數(shù)量為兩個(gè),每個(gè)所述矩形區(qū)域設(shè)置有所述晶體管。
5.如權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述柵極的數(shù)量為若干個(gè),并沿所述第一方向間隔排列,所述第一金屬線與所述柵極的端部電連接。
6.如權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括偽柵極,所述偽柵極位于沿所述第二方向間隔排列的拾取區(qū)上。
7.如權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第三金屬線的數(shù)量為若干個(gè),在所述第一方向上相鄰的兩個(gè)所述拾取區(qū)通過(guò)所述第三金屬線電連接;
所述結(jié)構(gòu)還包括:位于所述襯底上的若干第四金屬線,所述第四金屬線位于所述第一金屬線、所述第二金屬線、所述第三金屬線的下層,在所述第二方向上相鄰的兩個(gè)所述拾取區(qū)通過(guò)所述第四金屬線電連接。
8.如權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一金屬線包括沿所述第一方向延伸的第一金屬段和沿所述第二方向延伸的第二金屬段,所述第一金屬段的一端位于所述環(huán)形區(qū)域的正上方,另一端與所述環(huán)形區(qū)域之外的所述第二金屬段相連。
9.如權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二金屬線包括沿所述第一方向延伸的第三金屬段和沿所述第二方向延伸的第四金屬段,所述第三金屬段的一端位于所述環(huán)形區(qū)域的正上方,另一端與所述環(huán)形區(qū)域之外的所述第四金屬段相連;
所述第三金屬段與第一金屬段平行間隔設(shè)置,所述第四金屬段與第二金屬段平行間隔設(shè)置。
10.如權(quán)利要求7至9任一項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一金屬線、所述第二金屬線、所述第三金屬線均為M1層金屬線,所述第四金屬線為M0層金屬線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





